[发明专利]一种高阻尼钛合金的制备方法无效
申请号: | 201310642895.4 | 申请日: | 2013-12-03 |
公开(公告)号: | CN103643066A | 公开(公告)日: | 2014-03-19 |
发明(设计)人: | 余黎明;殷亮;刘永长;徐文泉 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | C22C1/05 | 分类号: | C22C1/05;C22C14/00 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 程毓英 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阻尼 钛合金 制备 方法 | ||
技术领域:
本发明制备了一种β相Ti25NbxB(x在0.5-2.0at%之间)高阻尼材料,其特征为易制备、阻尼性能好、阻尼峰温高。
背景技术:
伴随现代工业的飞速发展,各种机械设备要求更高的使用精度和更长的使用寿命,而振动和噪声会严重影响设备的使用精度和使用寿命。例如,战斗机作为一种超高速飞行的航空器,其发动机高速运转时会产生巨大的振动能,这会加速发动机的性能恶化甚至导致其他零部件性能恶化,进一步的恶化就可能导致机身材料破坏、断裂,从而导致战斗机解体。因此,近年用于振动和噪声控制的阻尼合金颇受世界各发达国家所重视,并发展迅速。尤其是在较为恶劣的环境中使用的材料,高阻尼合金比起传统合金的优越性则更为明显。
通过位错移动等机制而研发的高阻尼合金由于本身机制等局限性,阻尼性能随服役时间的延长恶化情况明显。近年,产生了一种基于Snoek弛豫机制的阻尼合金设计思路。根据Snoek弛豫理论,体心立方结构合金在外应力作用下,八面体间隙中的小半径原子会定向地向近邻八面体间隙位置运动,并在此过程中造成能量耗散。因为该扩散过程可重复发生而不破坏合金中的相结构,所以这种阻尼合金具有可重复使用性,其使用寿命有望比其他类型阻尼合金更长久。
发明内容:
本发明以体心立方的Ti-25Nb(at%)为基体,在其中引入的含量在0.5-2.0at%之间的间隙B元素,从而获得一种基于B原子在Ti-Nb基体中的Snoek弛豫效应的高阻尼TiNbB合金体系。具体技术方案如下。
一种高阻尼钛合金的制备方法,包括下列步骤:
第一步,原材料的称量:采用高纯Ti粉、高纯Nb粉、高纯B粉按照Ti-25Nb-xB(x=0.5-2.0at%)的配比进行称量;
第二步:使用球磨机对称量的原材料粉碎;
第三步:将球磨好的粉末进行冷压成型,其冷压成型压强为7.5-8.5MPa,时间为2-4min;
第四步:将冷压好的压坯进行真空烧结,其烧结温度为1200℃-1250℃,烧结时间为4.5至5.5h。
第二步中,球料比为3:1,球磨速率为300rpm,球磨时间为2h。
本发明的原理是:根据小半径原子基于点缺陷的Snoek弛豫效应中发挥的作用以研发新的高阻尼钛合金体系。B原子在物理化学性质上和常用的间隙原子C、N和O等类似,但添加方法更为简单、添加量更为精确,因而合金制备更加简单经济。本发明的优点在于:
1、硼原子作为Snoek弛豫效应中的小半径间隙原子更易添加至相应的高阻尼钛合金 中,添加量的可控性和精确度提高,合金制备更加简单经济,为以后的规模应用提供基础。
2、本发明制备的阻尼合金阻尼性能优良,峰值阻尼高达0.06。
3、本发明制备的合金阻尼峰覆盖温度范围约为250-350℃,因而相比常规的高分子阻尼材料,其使用温度可大幅提高。
附图说明
图1为粉末冶金方法制备的不同成分Ti-25Nb-xB(x=0.5,1,1.5,2)(at%)高阻尼钛合金的X-ray衍射图谱,其中β相为合金主要组成相。
图2为粉末冶金方法制备的不同成分Ti-25Nb-xO(x=0.5,1,1.5,2)(at%)高阻尼钛合金在不同频率下的阻尼性能和杨氏模量曲线。其中(a)为Ti-25Nb-0.5B,(b)为Ti-25Nb-1B,(c)为Ti-25Nb-1.5B,(d)为Ti-25Nb-2B。
具体实施方式:
下面结合实施例和附图对本发明进行说明。
采用粉末冶金方法制备Ti-25Nb-xB(at%)(x=0.5,1,1.5,2)合金。
1、原材料的称量:按照Ti-25Nb-xB(at%)的配比,称取高纯Ti粉、高纯Nb粉、高纯B粉;
2、混料:采用行星式球磨机对称量的原材料进行球磨混料,球料比为3:1,球磨速率为300rpm,球磨时间为2h;
3、冷压成型:将球磨好的粉末进行冷压成型,其冷压成型压强为8MPa,时间为3min。
4、烧结:将冷压好的压坯放进管式炉烧结时通入氩气进行保护,烧结温度为1200℃-1250℃,烧结时间为5h。
5、试样加工:利用电火花线切割机切割合金锭待测试试样。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学,未经天津大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310642895.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种减少单晶硅晶圆抛光片化学灼伤的有蜡抛光方法
- 下一篇:逆变器并联控制系统