[发明专利]深硅刻蚀方法在审
| 申请号： | 201310643211.2 | 申请日： | 2013-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN104671193A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 周娜;蒋中伟 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 陈振 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 | ||
1.一种深硅刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：
将涂有光刻胶的硅晶片放入刻蚀设备的腔室中，采用Bosh刻蚀工艺，获得具有陡直深沟槽形貌的硅晶片；
去除所述具有陡直深沟槽形貌的硅晶片表面剩余的光刻胶；
在所述刻蚀设备的腔室中对去除光刻胶的硅晶片进行顶部开口刻蚀，获得具有V型顶部形貌的硅晶片。
2.根据权利要求1所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，在Bosh刻蚀工艺过程中，所述刻蚀设备的腔室中压力为60mT～80mT。
3.根据权利要求2所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，所述Bosh刻蚀工艺包括沉积步和刻蚀步，二者交替进行；
所述沉积步中通入的气体为C4F8，流量为180sccm～200sccm；
所述刻蚀步中通入的气体为SF6，流量为200sccm～220sccm。
4.根据权利要求3所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，所述沉积步采用的上电极功率为300W～5000W，下电极功率为0W；
所述刻蚀步采用的上电极功率为300W～5000W，下电极功率为10W～30W。
5.根据权利要求4所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，采用化学试剂浸泡或者超声去除所述具有陡直深沟槽形貌的硅晶片表面剩余的光刻胶。
6.根据权利要求5所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，采用丙酮浸泡去除所述具有陡直深沟槽形貌的硅晶片表面剩余的光刻胶，包括以下步骤：
将所述具有陡直深沟槽形貌的硅晶片在丙酮溶液中浸泡2min，取出后用去离子水清洗，再用N2气枪吹干。
7.根据权利要求6所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，所述开口刻蚀采用单步刻蚀；
所述单步刻蚀过程中，所述刻蚀设备的腔室中压力为140mT～160mT。
8.根据权利要求7所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，所述单步刻蚀中通入的气体为SF6和O2的混合气体，且SF6的流量为500sccm～800sccm，O2的流量为50sccm～60sccm。
9.根据权利要求8所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，所述单步刻蚀中，采用的上电极功率为300W～5000W，下电极功率为10W～50W。
10.根据权利要求9所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，
所述沉积步中，所述刻蚀设备的腔室中压力为70mT，上电极功率为2000W，下电极功率为0W，通入的C4F8的流量为200sccm，沉积时间为2s；
所述刻蚀步中，所述刻蚀设备的腔室中压力为70mT，上电极功率为2500W，下电极功率为10W，通入的SF6的流量为200sccm，刻蚀时间为5s；
所述沉积步和刻蚀步交替循环100次；
所述单步刻蚀中，所述刻蚀设备的腔室中压力为150mT，上电极功率为2500W，下电极功率为30W，通入的SF6的流量为700sccm，通入的O2的流量为50sccm，刻蚀时间为120s。
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