[发明专利]一种纠错SRAM的回写方法有效
| 申请号： | 201310643265.9 | 申请日： | 2013-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN103631669A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 刘鑫;赵发展;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F11/08 | 分类号： | G06F11/08 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纠错 sram 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种纠错SRAM的回写方法，其特征在于，包括以下步骤：
将正确字码输出同时存入一个冗余的n位存储单元，并将其地址信号存储在锁存器中；
对存入n位存储单元的根据线性分组码的编码理论进行编码，产生冗余校验位；
通过冗余校验位产生纠错控制信号；
读写信号与纠错控制信号进行异或产生回写写入信号；
地址信号与纠错控制信号与产生回写地址信号；
根据回写地址信号以及回写写入信号将存储在n位存储单元的数据写入SRAM，完成回写功能。
2.根据权利要求1所述纠错SRAM的回写方法，其特征在于，所述通过冗余校验位产生纠错控制信号，包括以下步骤：
将冗余校验位与经过译码器重新生成的校验位进行异或；
将n位经过异或后的校验位进行或后产生纠错控制信号。
3.根据权利要求1所述的纠错SRAM的回写方法，其特征在于，所述正确字码输出时，其地址信号存储在正锁存器中。
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