[发明专利]防止结构层脱落的MEMS器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201310643712.0 | 申请日： | 2013-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN104671194A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 王伟;郑超;郭亮良 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊;俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 防止 结构 脱落 mems 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种防止结构层脱落的MEMS器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1，提供一具有介质层的衬底结构，并于该介质层的上表面依次制备一金属层和一氧化层，所述衬底结构、所述金属层和所述氧化层形成一微机电结构；
S2，依次刻蚀所述氧化层、所述金属层至所述介质层中，以于所述微机电结构的空乏区域中形成凹槽；
S3，继续制备一结构层，且该结构层覆盖所述凹槽的底部及其侧壁和剩余的氧化层上表面。
2.如权利要求1所述的防止结构层脱落的MEMS器件的制备方法，其特征在于，所述结构层的材质为锗化硅。
3.如权利要求1所述的防止结构层脱落的MEMS器件的制备方法，其特征在于，所述衬底结构中还设置有一焊垫，所述介质层覆盖在所述焊垫的上表面，且部分所述焊垫嵌入设置于该介质层中；其中，部分所述介质层隔离所述凹槽和所述焊垫。
4.如权利要求3所述的防止结构层脱落的MEMS器件的制备方法，其特征在于，所述介质层中设置有互连线，所述焊垫通过所述互连线与所述金属层连接。
5.如权利要求4所述的防止结构层脱落的MEMS器件的制备方法，其特征在于，所述互连线的材质为锗化硅。
6.如权利要求1所述的防止结构层脱落的MEMS器件的制备方法，其特征在于，所述凹槽数量为一个或多个。
7.如权利要求1所述的防止结构层脱落的MEMS器件的制备方法，其特征在于，所述凹槽的深宽比为k，其中1＜k＜2。
8.如权利要求1所述的防止结构层脱落的MEMS器件的制备方法，其特征在于，所述凹槽的深度取值范围为2-10um，所述凹槽的宽度取值范围为2-5um。
9.一种防止结构层脱落的MEMS器件，其特征在于，包括：
一具有介质层的衬底结构；
依次设置于所述介质层上表面的金属层和氧化层，所述衬底结构、金属层、氧化层形成一微机电结构；
设置于所述微机电结构的空乏区域中的凹槽；
一覆盖于所述氧化层上表面及所述凹槽底部及侧壁的结构层。
10.如权利要求9所述的防止结构层脱落的MEMS器件，其特征在于，所述结构层的材质为锗化硅。
11.如权利要求9所述的防止结构层脱落的MEMS器件，其特征在于，所述衬底结构中还设置有一焊垫，所述介质层覆盖在所述焊垫的上表面，且部分所述焊垫嵌入设置于该介质层中；其中，部分所述介质层隔离所述凹槽和所述焊垫。
12.如权利要求11所述的防止结构层脱落的MEMS器件，其特征在于，所述介质层中设置有互连线，所述焊垫通过所述互连线与所述金属层连接。
13.如权利要求9所述的防止结构层脱落的MEMS器件，其特征在于，所述互连线的材质为锗化硅。
14.如权利要求9所述的防止结构层脱落的MEMS器件，其特征在于，所述凹槽数量为一个或多个。
15.如权利要求9所述的防止结构层脱落的MEMS器件，其特征在于，所述凹槽的深宽比为k，其中1＜k＜2。
16.如权利要求9所述的防止结构层脱落的MEMS器件，其特征在于，所述凹槽的深度取值范围为2-10um，宽度取值范围为2-5um。
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