[发明专利]一种调控陶瓷电介质微观结构及介电性能的方法

权利要求书

1.一种调控陶瓷电介质微观结构和介电性能的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

步骤一:在由SrTiO₃、BaTiO₃、CaTiO₃、PbTiO₃、TiO₂等物质中的一种或若干种构成的陶瓷粉体A中加入由Nb₂O₅、Ta₂O₅、V₂O₅、Y₂O₃、La₂O₃、WO₃、Bi₂O3、Mn₂O₅等物质中的一种或若干种构成的陶瓷粉体B，所述陶瓷粉体B的质量与所述陶瓷粉体A的质量比大于0小于等于0.30；

步骤二:所述陶瓷粉体A与所述陶瓷粉体B混合，并进行超细磨制得均匀的陶瓷粉体C；

步骤三：所述陶瓷粉体C经干燥后过筛，在过筛得到的粉体中加入PVA或PVC，经流延、干压或挤膜等成型工艺得到陶瓷生坯；

步骤四：所述陶瓷生坯排胶后在NH₃气体中或N₂和H₂组成的混合气体中在1100～1500℃的温度范围内进行烧结，形成陶瓷介质D；

步骤五：在所述陶瓷介质D的表面被覆一层氧化剂层得到陶瓷介质E， 所述氧化剂层由SiO₂、B₂O₃、ZnO、Al₂O₃、Bi₂O₃、CuO、CaO、Pb₃O₄、La₂O₃、MoO₃等一种或若干种物质组成；

步骤六:将所述陶瓷介质E放置在热等静压烧结炉内，调整炉内的烧结气压参数和温度参数进行烧结，气压范围为0.2～10MPa，温度范围为600℃～1500℃，经过所述热等静压处理后得到陶瓷介质F。

2.如权利要求1所述的调控陶瓷电介质微观结构和介电性能的方法，其特征在于：所述陶瓷粉体A为SrTiO₃陶瓷粉体，所述陶瓷粉体B为Nb₂O₅、Ta₂O₅和La₂O₃三种物质组成的陶瓷粉体，三种物质分别按0.82%wt、0.64%wt和0.27%wt加入所述陶瓷粉体A中。

3.如权利要求2所述的调控陶瓷电介质微观结构和介电性能的方法，其特征在于：所述陶瓷生坯排胶后在N₂和H₂组成的混合气体中在1400^oC进行烧结。

4.如权利要求2所述的调控陶瓷电介质微观结构和介电性能的方法，其特征在于：所述氧化剂层由SiO₂、B₂O₃和ZnO按35%wt、28%wt和37%wt组成。