[发明专利]二次先镀后蚀金属框减法埋芯片倒装凸点结构及工艺方法

权利要求书

1.一种二次先镀后蚀金属框减法埋芯片倒装凸点结构，其特征在于：它包括金属基板框（1），所述金属基板框（1）内部设置有基岛（2）和引脚（3），所述引脚（3）呈台阶状，所述基岛（2）和引脚（3）的正面与金属基板框（1）正面齐平，所述引脚（3）的背面与金属基板框（1）的背面齐平，所述基岛（2）背面与引脚（3）的台阶面齐平，所述基岛（2）背面与引脚（3）的台阶面上通过底部填充胶（5）倒装有芯片（6），所述金属基板框（1）内部区域填充有塑封料（7），所述塑封料（7）正面与引脚（3）台阶面齐平，所述塑封料（7）背面与金属基板框（1）背面齐平，所述基岛（2）正面、引脚（3）的正面和背面以及金属基板框（1）的正面和背面设置有抗氧化层（4），所述引脚（3）背面设置有金属球（8）。

2.根据权利要求1所述的一种二次先镀后蚀金属框减法埋芯片倒装凸点结构，其特征在于：所述芯片（6）与基岛（2）背面和引脚（3）台阶面之间设置有金属层。

3.一种二次先镀后蚀金属框减法埋芯片倒装凸点结构的工艺方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：

步骤一、取金属基板

步骤二、贴光阻膜作业

在金属基板正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光阻膜；

步骤三、金属基板正面及背面去除部分光阻膜

利用曝光显影设备将步骤二完成贴光阻膜作业的金属基板正面及背面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板正面及背面后续需要进行电镀的区域；

步骤四、电镀抗氧化金属层或披覆抗氧化剂(OSP)

在步骤三中金属基板正面及背面去除部分光阻膜的区域电镀上抗氧化金属层或披覆抗氧化剂(OSP)；

步骤五、去除光阻膜

去除金属基板表面的光阻膜；

步骤六、贴光阻膜作业

在步骤四完成电镀抗氧化金属层后的金属基板正面及背面贴上可进行曝光显影的光阻膜；

步骤七、金属基板背面去除部分光阻膜

利用曝光显影设备将步骤六完成贴光阻膜作业的金属基板背面蚀刻区域进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板背面后续需要进行蚀刻的区域；

步骤八、蚀刻

在步骤七中金属基板背面去除部分光阻膜的区域进行化学蚀刻，完成化学蚀刻后即在金属基板背面形成相应的基岛和台阶形引脚；

步骤九、去除光阻膜

去除金属基板表面的光阻膜；

步骤十、装片

在步骤八形成的基岛背面和引脚台阶面将已完成表面有凸点的芯片进行倒装，完成后并通过底部填充胶进行底部填充保护倒装有芯片；

步骤十一、环氧树脂塑封

在完成装片后的金属基板背面蚀刻区域进行环氧树脂塑封保护；

步骤十二、贴光阻膜作业

在步骤十一完成环氧树脂塑封后的金属基板正面及背面贴上可进行曝光显影的光阻膜；

步骤十三、金属基板正面去除部分光阻膜

利用曝光显影设备将步骤十二完成贴光阻膜作业的金属基板正面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板正面后续需要进行蚀刻的区域；

步骤十四、蚀刻

在步骤十三中金属基板正面去除部分光阻膜的区域进行化学蚀刻；

步骤十五、去除光阻膜

去除金属基板表面的光阻膜；

步骤十六、植球

在步骤十五去除光阻膜后的引脚背面植入金属球。

4.根据权利要求3所述的一种二次先镀后蚀金属框减法埋芯片倒装凸点结构的工艺方法，其特征在于：当步骤四电镀的抗氧化金属层为镍金或镍钯金时，步骤六和步骤七可省略。

5.根据权利要求3所述的一种二次先镀后蚀金属框减法埋芯片倒装凸点结构的工艺方法，其特征在于：在步骤九去除光阻膜和步骤十装片之间在金属基板表面裸露的金属表面进行抗氧化金属层电镀或抗氧化剂披覆。