[发明专利]二次先镀后蚀金属框减法埋芯片倒装平脚结构及工艺方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种二次先镀后蚀金属框减法埋芯片倒装平脚结构及工艺方法，属于半导体封装技术领域。

背景技术

传统的四面扁平无引脚金属引线框结构主要有两种： 

一种是四面扁平无引脚封装（QFN）引线框，这种结构的引线框由铜材金属框架与耐高温胶膜组成（如图17所示）；

一种是预包封四面扁平无引脚封装（PQFN）引线框，这种结构的引线框结构包括引脚与基岛，引脚与基岛之间的蚀刻区域填充有塑封料（如图18所示）。

上述传统金属引线框存在以下缺点：

1、传统金属引线框作为装载芯片的封装载体，本身不具备系统功能，从而限制了传统金属引线框封装后的集成功能性与应用性能；

2、由于传统金属引线框本身不具备系统功能，只能在引线框正面进行芯片及组件的平铺或者堆叠封装，而功率器件与控制芯片封装在同一封装体内，功率器件的散热会影响控制芯片信号的传输；

3、由于传统金属引线框本身不具备系统功能，所以多功能系统集成模块只能在传统金属引线框正面通过多芯片及组件的平铺或堆叠而实现，相应地也就增大元器件模块在PCB上所占用的空间。

发明内容

本发明的目的在于克服上述不足，提供一种二次先镀后蚀金属框减法埋芯片倒装平脚结构及工艺方法，它能够解决传统金属引线框缺乏系统功能的问题。

本发明的目的是这样实现的：一种二次先镀后蚀金属框减法埋芯片倒装平脚结构，它包括金属基板框，所述金属基板框内部设置有基岛和引脚，所述引脚呈台阶状，所述基岛和引脚的正面与金属基板框正面齐平，所述引脚的背面与金属基板框的背面齐平，所述基岛背面与引脚的台阶面齐平，所述基岛背面与引脚的台阶面上通过底部填充胶倒装有芯片，所述金属基板框内部区域填充有塑封料，所述塑封料正面与引脚台阶面齐平，所述塑封料背面与金属基板框背面齐平，所述基岛正面、引脚的正面和背面以及金属基板框的正面和背面设置有金属抗氧化层或是披覆抗氧化剂(OSP)。

所述芯片与基岛背面和引脚台阶面之间设置有金属层。

一种二次先镀后蚀金属框减法埋芯片倒装平脚结构的工艺方法，所述方法包括以下步骤：

步骤一、取金属基板

步骤二、贴光阻膜作业

在金属基板正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光阻膜；

步骤三、金属基板正面及背面去除部分光阻膜

利用曝光显影设备将步骤二完成贴光阻膜作业的金属基板正面及背面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板正面及背面后续需要进行电镀的区域；

步骤四、电镀抗氧化金属层或披覆抗氧化剂(OSP)

在步骤三中金属基板正面及背面去除部分光阻膜的区域电镀上抗氧化金属层或披覆抗氧化剂(OSP)；

步骤五、去除光阻膜

去除金属基板表面的光阻膜；

步骤六、贴光阻膜作业

在步骤四完成电镀抗氧化金属层后的金属基板正面及背面贴上可进行曝光显影的光阻膜；

步骤七、金属基板背面去除部分光阻膜

利用曝光显影设备将步骤六完成贴光阻膜作业的金属基板背面蚀刻区域进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板背面后续需要进行蚀刻的区域；

步骤八、蚀刻

在步骤七中金属基板背面去除部分光阻膜的区域进行化学蚀刻，完成化学蚀刻后即在金属基板背面形成相应的基岛和台阶形引脚；

步骤九、去除光阻膜

去除金属基板表面的光阻膜；

步骤十、装片

在步骤八形成的基岛背面和引脚台阶面将已完成表面有凸点的芯片进行倒装，完成后并通过底部填充胶进行底部填充保护；

步骤十一、环氧树脂塑封

在完成装片后的金属基板背面蚀刻区域进行环氧树脂塑封保护；

步骤十二、贴光阻膜作业

在步骤十一完成环氧树脂塑封后的金属基板正面及背面贴上可进行曝光显影的光阻膜；

步骤十三、金属基板正面去除部分光阻膜

利用曝光显影设备将步骤十二完成贴光阻膜作业的金属基板正面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板正面后续需要进行蚀刻的区域；

步骤十四、蚀刻

在步骤十三中金属基板正面去除部分光阻膜的区域进行化学蚀刻；

步骤十五、去除光阻膜

去除金属基板表面的光阻膜。

当步骤四电镀的抗氧化金属层为镍金或镍钯金时，步骤六和步骤七可省略。