[发明专利]一种多元烧成助剂在审

专利信息
申请号: 201310645447.X 申请日: 2013-12-03
公开(公告)号: CN104671267A 公开(公告)日: 2015-06-03
发明(设计)人: 郑辉安 申请(专利权)人: 郑辉安
主分类号: C01F7/16 分类号: C01F7/16
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 王楚鸿
地址: 529000 广东省江*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 多元 烧成 助剂
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种助剂的技术领域,尤其涉及一种可与中低品位含铝矿配比烧成铝酸钙的多元烧成助剂。

背景技术

在我国的铝土矿资源或废弃资源中,中低品位含铝矿如高硅高铁低铝或低铝硅比的尾矿、废弃矿,工业固体废弃物如粉煤灰、炉渣、煤研石、铝土矿、蓝晶石、红柱石、硅线石、霞石、钾霞石、白云母、白榴石、钠长石、方沸石、绢云母、高岭石、明矾石等,这些资源中的AL203含量仅为15-50%,在我国境内占相当大的比例,并且到目前为止这些资源尚未得到充分利用,开发利用此类中低品位铝土矿资源,对合理利用国家资源,具有重要的社会经济意义和实际意义。另一方面,随着我国工业的发展,对铝土矿的需求急剧增加,使铝土矿供应日趋紧张,特别是优质的铝土矿供应量将不能满足氧化铝或氢氧化铝生产的需要,造成氧化铝和氢氧化铝生产成本上升,矿石资源越来越成为铝工业发展的制约因素。因此,开发利用中低品位铝土矿

资源对于我国铝工业可持续发展具有重要的意义。

我国氢氧化铝的生产原料几乎均为一水硬铝石,无论是烧结法、拜尔法、烧结法一拜耳法联合法或烧结法一拜耳法混联法,一水硬铝石烧结成熟料后的溶出温度在200 ℃ - 300℃之间,而且仅适用高铝低硅低铁的高品位铝土矿,而对于低铝硅比的中低品位含铝矿或废弃物则不适用。我国地大物博、矿藏丰富,含AL2O15-50%的中低品位含铝矿和含AL203的工业废弃物很多,在铝土矿开采中,大量铝硅比低于7:1, AL203含量为15-50%的高硅高铁铝土矿被废弃,造成生产原料面临枯竭的紧迫局面。

目前急需一种多元烧成助剂,利用该多元烧成助剂与中低品位含铝矿或废弃资源进行配比进行烧结,进而烧成在常温常压下便可生产氢氧化铝的原料—铝酸钙,来实现资源再生产、废渣再利用的循环经济,造福社会。

发明内容

本发明的目的是为了克服上述现有技术的缺点,提供一种可与中低品位含铝矿配比烧成铝酸钙、进而生产氢氧化铝的多元烧成助剂。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种多元烧成助剂,由以下质量百分比的原料配方组分组成:100-200份碳酸氢钠,50-100份盐酸,100-150份纯碱,50-100份纳米硫酸铁,50-100份纳米硫酸铝,20-50份纳米硫酸铜,20-50份纳米硫酸钾,20-50份纳米硫酸钙,20-30份柠檬酸,20-30份酒石酸,10-15份四氟化硅,10-15份氟硅酸镁、10-15份硅酸钾。

进一步的,所述的碳酸氢钠为100份,盐酸为50份,纯碱为100份,纳米硫酸铁为50份,纳米硫酸铝为50份,纳米硫酸铜为20份,纳米硫酸钾为20份,纳米硫酸钙为20份, 柠檬酸为20份,酒石酸为20份,四氟化硅为10份,氟硅酸镁为10份、硅酸钾为10份。

或者是所述的碳酸氢钠为200份,盐酸为100份,纯碱为150份,纳米硫酸铁为100份,纳米硫酸铝为100份,纳米硫酸铜为50份,纳米硫酸钾为50份,纳米硫酸钙为50份, 柠檬酸为30份,酒石酸为30份,四氟化硅为15份,氟硅酸镁为15份、硅酸钾为15份。

综上所述,本发明的有益效果是:本发明的多元烧成助剂,可以与中低品位含铝矿或废弃资源进行配比,烧成在常温常压下便可生产氢氧化铝的原料—铝酸钙,在倒焰窑、机立窑、回转窑、隧道窑或轮窑中都可生产,烧成的铝酸钙可直接用于在常温常压下溶出生产氢氧化铝的原料,材料来源广,具有良好的经济效益和显著的社会效益。本发明的多元烧成助剂,也可应用于其它耐火材料的生产原料或铝酸盐水泥的生产原料,具有较大的应用价值。

具体实施方式

实施例1

本实施例1所描述的一种多元烧成助剂,由以下质量百分比的原料配方组分组成:100份碳酸氢钠,50份盐酸,100份纯碱,50份纳米硫酸铁,50份纳米硫酸铝,20份纳米硫酸铜,20份纳米硫酸钾,20份纳米硫酸钙,20份柠檬酸,20份酒石酸,10份四氟化硅,10份氟硅酸镁、10份硅酸钾。

实施例2

本实施例2所描述的一种多元烧成助剂,由以下质量百分比的原料配方组分组成: 200份碳酸氢钠, 100份盐酸, 150份纯碱, 100份纳米硫酸铁, 100份纳米硫酸铝, 50份纳米硫酸铜, 50份纳米硫酸钾, 50份纳米硫酸钙, 30份柠檬酸, 30份酒石酸, 15份四氟化硅, 15份氟硅酸镁、15份硅酸钾。

以上所述,仅是本发明的较佳实施例而已,并非对本发明的原理和框架作任何形式上的限制。凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本发明的技术方案的范围内。

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