[发明专利]一次先镀后蚀金属框减法埋芯片倒装凸点结构及工艺方法

权利要求书

1.一种一次先镀后蚀金属框减法埋芯片倒装凸点结构的工艺方法，所述方法包括如下步骤：

步骤一、取金属基板

步骤二、贴光阻膜作业

在金属基板的正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光阻膜；

步骤三、金属基板表面去除部分光阻膜

利用曝光显影设备将步骤二完成贴光阻膜作业的金属基板表面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜；

步骤四、电镀抗氧化金属层或是被覆抗氧化剂（OSP）

在步骤三中金属基板表面去除部分光阻膜的区域内进行电镀抗氧化金属层，防止金属氧化，如金、镍金、镍钯金、锡或是被覆抗氧化剂（OSP）；

步骤五、去除光阻膜

去除金属基板表面的光阻膜；

步骤六、贴光阻膜作业

在金属基板的表面贴上可进行曝光显影的光阻膜；

步骤七、金属基板表面去除部分光阻膜

利用曝光显影设备将步骤六完成贴光阻膜作业的金属基板表面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，具体是去除电镀抗氧化金属层以外的光阻膜，以露出金属基板背面后续需要进行蚀刻的区域图形；

步骤八、化学蚀刻

在步骤七中金属基板表面去除部分光阻膜的区域内进行不同深度的化学蚀刻，化学蚀刻完成后即形成相对应的基岛和台阶状引脚；

步骤九、去除光阻膜

去除金属基板表面的光阻膜；

步骤十、装片

在步骤九的基岛背面和引脚台阶面将已完成表面有凸点的芯片进行倒装，完成后并通过底部填充胶进行底部填充保护；

步骤十一、包封

对步骤十的金属基板内部采用塑封料进行塑封，塑封料与金属基板的正面和背面均齐平；

步骤十二、植球

在步骤十一的引脚背面植入金属球。

2.根据权利要求1所述的一次先镀后蚀金属框减法埋芯片正装平脚结构的工艺方法，其特征在于当步骤四中的抗氧化金属层为镍金或镍钯金时，所述步骤六和步骤七可以省略。

3.由权利要求1或2所制得的一种一次先镀后蚀金属框减法埋芯片倒装凸点结构，其特征在于它包括金属基板框（1），在所述金属基板框（1）内部设置有基岛（2）和引脚（3），所述引脚（3）呈台阶状，所述基岛（2）和引脚（3）的正面与金属基板框（1）正面齐平，所述引脚3的背面与金属基板框（1）的背面齐平，所述基岛（2）背面与引脚（3）的台阶面齐平，所述引脚（3）所述基岛（2）的背面通过底部填充胶（4）倒装有芯片（5）所述基岛（2）外围的区域、基岛（2）和引脚（3）之间的区域、引脚（3）与引脚（3）之间的区域、基岛（2）和引脚（3）上部的区域、基岛（2）和引脚（3）下部的区域以及芯片（5）外均包封有塑封料（6），所述塑封料（6）与金属基板框（1）的上下表面齐平，在所述基岛（2）正面、引脚（3）的正面和背面以及金属基板框（1）的表面镀有抗氧化层或被覆抗氧化剂(OSP)（7），所述塑封料（6）与金属基板框（1）上下表面的抗氧化层或被覆抗氧化剂(OSP)（7）齐平，在所述引脚（3）背面设置有金属球（8）。

4.根据权利要求3所述的一次先镀后蚀金属框减法埋芯片倒装凸点结构，其特征在于：在所述基岛（2）背面和引脚（3）的台阶面上设置有金属层。

5.根据权利要求3所述的一种一次先镀后蚀金属框减法埋芯片倒装平脚结构的工艺方法，其特征在于：在步骤九去除光阻膜和步骤十装片之间在金属基板表面裸露的金属表面进行抗氧化金属层电镀或抗氧化剂披覆(OSP)。