[发明专利]半导体感测装置

权利要求书

1.一种半导体感测装置，包括：

多个像素；

平坦层，形成于该些像素上；

钝化层，形成于该平坦层上；

盖氧化层，形成于该钝化层上；

氮化物层，形成于该盖氧化层上；以及

保护层，形成于该氮化物层上，该保护层包括堆叠的至少一氧化层及至少一另一氮化物层；

其中该半导体感测装置还包括相位光栅结构(phase grating structure)，该相位光栅结构设置于该些像素上，该相位光栅结构具有多个周期性排列图案(periodicallyarranged patterns)，该相位光栅结构的高度可调变，以调变该半导体感测装置的外观颜色。

2.如权利要求1所述的半导体感测装置，其中该相位光栅结构具有由多个凸起物(protrusions)构成的一第一区以及由多个凹陷(indentations)构成的一第二区，该些周期性排列图案是该些凸起物或该些凹陷。

3.如权利要求2所述的半导体感测装置，其中该第一区的折射率与该第二区的折射率不同。

4.如权利要求1所述的半导体感测装置，其中该些周期性排列图案具有不规则的高度。

5.如权利要求1所述的半导体感测装置，其中该些周期性排列图案还包括至少两组不同的周期性图案。

6.如权利要求1所述的半导体感测装置，其中该些周期性排列图案是多边形图案、圆形图案、椭圆形图案、条状图案、空心形图案、格状图案或锯齿状图案。

7.如权利要求1所述的半导体感测装置，其中该些周期性排列图案是彼此对齐并具有一致的尺寸及形状。

8.如权利要求1所述的半导体感测装置，其中该些周期性排列图案形成于该钝化层、该盖氧化层、及该氮化物层的至少其中之一中。

9.如权利要求1所述的半导体感测装置，其中该些周期性排列图案形成于至少该保护层中。

10.如权利要求1所述的半导体感测装置，其中该些像素具有约60微米x60微米的一尺寸。

11.如权利要求1所述的半导体感测装置，其中该相位光栅结构为具有多个孔洞或多个通道的一膜层，该些孔洞或该些通道为该些周期性排列图案。