[发明专利]电阻式存储器件和其操作方法有效
申请号: | 201310646378.4 | 申请日: | 2013-12-04 |
公开(公告)号: | CN104123960B | 公开(公告)日: | 2018-08-21 |
发明(设计)人: | 朴海赞;金明燮;李世昊;李承润 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C13/00 | 分类号: | G11C13/00 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 俞波;毋二省 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电阻 存储 器件 操作方法 | ||
1.一种电阻式存储器件,包括:
存储器单元阵列,其包括耦接于字线与位线之间的单位存储器单元,其中所述单位存储器单元包括串联耦接的数据储存材料和基于非硅衬底型双向存取器件;
路径设定电路,其耦接于所述位线与所述字线之间,适用于基于路径控制信号、正向编程命令以及反向编程命令而向所述位线或所述字线提供编程脉冲;以及
控制单元,其适用于基于外部命令信号而提供写入路径控制信号、正向编程命令以及反向编程命令,
其中所述正向编程命令和所述反向编程命令是互补信号,所述互补信号基于编程的数量而产生。
2.如权利要求1所述的电阻式存储器件,其中所述单位存储器单元包括数据储存材料,所述数据储存材料耦接至第一互连件;基于非硅衬底型双向存取器件,其一个端子连接至所述数据储存材料;以及第二互连件,其连接至所述基于非硅衬底型双向存取器件的另一端子。
3.如权利要求1所述的电阻式存储器件,其中所述路径设定电路包括:
第一路径设定单元,其连接于所述位线与用于提供所述编程脉冲的端子之间,并且适用于基于所述路径控制信号和所述正向编程命令而传输所述编程脉冲至所述位线之侧;以及
第二路径设定单元,其连接于所述字线与用于提供所述编程脉冲的端子之间,并且适用于基于所述路径控制信号和所述反向编程命令而传输所述编程脉冲至所述字线之侧。
4.如权利要求3所述的电阻式存储器件,其中所述第一路径设定单元包括:
第一开关,其适用于接收所述路径控制信号并基于所述正向编程命令而被驱动;以及
第一驱动器,其耦接于用于提供接地电压的端子与用于提供所述编程脉冲的端子之间,并且适用于基于所述第一开关的输出信号而以所述接地电压或所述编程脉冲驱动所述位线。
5.如权利要求3所述的电阻式存储器件,其中所述第二路径设定单元包括:
第二开关,其适用于接收所述路径控制信号并基于所述反向编程命令而被驱动;以及
第二驱动器,其耦接于用于提供接地电压的端子与用于提供所述编程脉冲的端子之间,并适用于基于所述第二开关的输出信号而以所述接地电压或所述编程脉冲PGM_pulse驱动所述字线WL。
6.一种数据处理系统,包括:
电阻式存储器件,其包括:存储器单元阵列;控制单元,其适用于控制所述存储器单元阵列的操作;及路径设定电路,其适用于提供编程脉冲至所述存储器单元阵列;以及
存储器控制器,其适用于响应于主机的请求而存取所述电阻式存储器件,
其中所述存储器单元阵列包括单位存储器单元,所述单位存储器单元连接于字线与位线之间、且包括数据储存材料和基于非硅衬底型双向存取器件,以及
其中所述路径设定电路耦接于所述位线与所述字线之间,并且适用于基于从所述控制单元提供的路径控制信号、正向编程命令和反向编程命令而提供所述编程脉冲至所述位线或所述字线,
其中所述正向编程命令和所述反向编程命令是互补信号,所述互补信号基于编程的数量而产生。
7.一种数据处理系统,包括:
处理器;
操作存储器,其适用于储存应用、数据和用于所述处理器的操作所需的控制信号;
电阻式存储器件,其包括存储器单元阵列,所述存储器单元阵列具有多个单位存储器单元,所述单位存储器单元被所述处理器存取并连接于位线与字线之间;控制单元,其适用于控制所述存储器单元阵列的操作;及路径设定电路,其适用于提供编程脉冲至所述存储器单元阵列;以及
用户接口,其适用于在所述处理器与用户之间执行数据输入和输出,
其中所述存储器单元阵列包括单位存储器单元,所述单位存储器单元连接于字线与位线之间、且包括数据储存材料和基于非硅衬底型双向存取器件,
其中所述路径设定电路连接于所述位线与所述字线之间,且适用于基于从所述控制单元提供的路径控制信号、正向编程命令和反向编程命令而提供所述编程脉冲至所述位线或所述字线,
其中所述正向编程命令和所述反向编程命令是互补信号,所述互补信号基于编程的数量而产生。
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