[发明专利]介质薄膜的二次电子发射系数的测量系统及其测量方法

权利要求书

1.一种介质薄膜的二次电子发射系数的测量系统，其特征在于，包括：电子枪（1）、桶状收集极（2）、样品托（3）、以及总电源（4），其中，桶状收集极（2）的顶端开设有圆孔，样品托（3）设置于桶状收集极（2）中，电子枪（1）设置于桶状收集极（2）外侧，样品托（3）、圆孔、以及电子枪（1）发射端均在同一直线上；

样品托（3）通过第一电阻（R1）与总电源（4）的正极相连，总电源（4）的正极接地，电子枪（1）与总电源（4）的负极相连；

桶状收集极（2）上连接有正负极相反的第一电源（5）和第二电源（6），第一电源（5）和第二电源（6）的另一端连接有转换开关（7），转换开关（7）通过第二电阻（R2）与总电源（4）的正极相连接。

2.根据权利要求1所述的介质薄膜的二次电子发射系数的测量系统，其特征在于，还包括真空室，电子枪（1）、桶状收集极（2）、以及样品托（3）设置于真空室中。

3.根据权利要求2所述的介质薄膜的二次电子发射系数的测量系统，其特征在于，所述真空室的真空气压小于3×10^-3Pa。

4.根据权利要求1所述的介质薄膜的二次电子发射系数的测量系统，其特征在于，所述总电源（4）为直流高压稳压电源。

5.根据权利要求1所述的介质薄膜的二次电子发射系数的测量系统，其特征在于，所述第一电源（5）和第二电源（6）为电压为40V的直流电源。

6.一种基于权利要求1所述的介质薄膜的二次电子发射系数的测量方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）调节电子枪参数以及总电源（4）的负输出，以使得电子枪发射出聚焦状态的电子束；

2）在第一电阻（R1）和第二电阻（R2）上连接示波器；

3）调节转换开关（7），使得桶状收集极（2）与电极为正极的第一电源（5）连通，并使电子枪工作于单次脉冲状态，用示波器记录下流过第一电阻（R1）的第一单次电流脉冲波形，以及流过第二电阻（R2）的第二单次电流脉冲波形；

4）根据第一单次电流脉冲波形和第二单次电流脉冲波形，读出第一单次电流脉冲波形和第二单次电流脉冲波形的幅度，计算出二次电子发射系数；

5）保持总电源（4）的输出不变，调节转换开关（7），将桶状收集极（2）与电极为负极的第二电源（6）连通，让电子枪工作在连续脉冲状态，以中和样品表面所带的正电荷；

6）重复1）～5）的过程，绘制二次电子发射系数与入射电子能量的关系曲线。

7.根据权利要求6所述的介质薄膜的二次电子发射系数的测量方法，其特征在于，所述电子枪发射出聚焦状态的电子束能量为20～3000eV。

8.根据权利要求6所述的介质薄膜的二次电子发射系数的测量方法，其特征在于，所述步骤3）中，电子枪工作于单次脉冲状态时脉冲宽度为120～200us。

9.根据权利要求6所述的介质薄膜的二次电子发射系数的测量方法，其特征在于，所述步骤5）中，电子枪工作在连续脉冲状态时的脉冲宽度为120～200us，脉冲重复频率为100～1000Hz，电子枪工作时间为10～30s。

10.根据权利要求6至9任一项所述的介质薄膜的二次电子发射系数的测量方法，其特征在于，所述电子枪（1）、桶状收集极（2）、以及样品托（3）设置于真空室中，且真空室的真空气压小于3×10^-3Pa。