[发明专利]一种浅沟槽的形成方法有效
| 申请号： | 201310647706.2 | 申请日： | 2013-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN104701235B | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;王冬江 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 浅沟槽 刻蚀 衬底 晶圆 膜层 半导体 半导体衬底表面 半导体器件 从上至下 水平旋转 良品率 正整数 缓解 保证 | ||
1.一种浅沟槽的形成方法，其特征在于，包括下列步骤：
提供半导体衬底，所述半导体衬底表面从下往上依次形成有N层膜层，N为正整数；
形成具有第一开口的光刻胶层，所述第一开口与后续形成的浅沟槽对应；
从上至下依次分步刻蚀相应膜层，直至在半导体衬底中形成浅沟槽，其中每步刻蚀前均将晶圆水平旋转预定角度；
其中，每步刻蚀前旋转的预定角度总和等于最大不对称度。
2.根据权利要求1所述的浅沟槽的形成方法，其特征在于，在形成浅沟槽之前，还包括步骤：
提供控片；
在控片上从下往上依次形成有N层膜层；
从上至下依次分步刻蚀相应膜层，直至在半导体衬底中形成浅沟槽；
通过测量确定不同位置浅沟槽之间最大不对称度。
3.根据权利要求2所述的浅沟槽的形成方法，其特征在于，所述每步刻蚀前旋转的预定角度相同或不同。
4.根据权利要求3所述的浅沟槽的形成方法，其特征在于，当所述每步刻蚀前旋转的预定角度相同时，预定角度等于最大不对称度除以刻蚀步骤数。
5.根据权利要求3所述的浅沟槽的形成方法，其特征在于，所述每步刻蚀前旋转的预定角度不同。
6.根据权利要求2所述的浅沟槽的形成方法，其特征在于，所述最大不对称度范围为1°～360°。
7.根据权利要求1所述的浅沟槽的形成方法，其特征在于，所述水平旋转为水平顺时针旋转或水平逆时针旋转。
8.根据权利要求1或2所述的浅沟槽的形成方法，其特征在于，所述N层膜层为两层膜层，分为位于半导体衬底表面的垫氧化层和位于垫氧化层上的腐蚀阻挡层。
9.根据权利要求1或2所述的浅沟槽的形成方法，其特征在于，所述N层膜层为三层膜层，分为位于半导体衬底表面的垫氧化层、位于垫氧化层上的腐蚀阻挡层和位于腐蚀阻挡层上的无定形碳层。
10.根据权利要求1或2所述的浅沟槽的形成方法，其特征在于，所述N层膜层为四层膜层，分为位于半导体衬底表面的垫氧化层、位于垫氧化层上的腐蚀阻挡层、位于腐蚀阻挡层上的无定形碳层和位于无定形碳层上的底部抗反射层。
11.一种浅沟槽的形成方法，其特征在于，包括下列步骤：
提供半导体衬底，所述半导体衬底表面从下往上依次形成有N层膜层，N为正整数；
形成具有第一开口的光刻胶层，所述第一开口与后续形成的浅沟槽对应；
从上至下依次分步刻蚀相应膜层，直至在半导体衬底中形成浅沟槽，在任一步刻蚀前将晶圆水平旋转与最大不对称度匹配的角度。
12.根据权利要求11所述的浅沟槽的形成方法，其特征在于，在形成浅沟槽之前，还包括步骤：
提供控片；
在控片上从下往上依次形成有N层膜层；
从上至下依次分步刻蚀相应膜层，直至在半导体衬底中形成浅沟槽；
通过测量确定不同位置浅沟槽之间最大不对称度。
13.根据权利要求12所述的浅沟槽的形成方法，其特征在于，所述最大不对称度范围为1°～360°。
14.根据权利要求11所述的浅沟槽的形成方法，其特征在于，所述水平旋转为水平顺时针旋转或水平逆时针旋转。
15.根据权利要求11或12所述的浅沟槽的形成方法，其特征在于，所述N层膜层为两层膜层，分为位于半导体衬底表面的垫氧化层和位于垫氧化层上的腐蚀阻挡层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
