[发明专利]一种单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构的制备及应用方法

权利要求书

1.一种单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构的制备方法，其特征在于，包括以下几个步骤：

步骤A: 采用电镀工艺在晶圆上阵列出Cu焊盘；

步骤B: 在所述Cu焊盘上制备的钎料,制成凸台；

步骤C: 对制备得到的凸台进行热风重熔30s-120s；

步骤D: 将步骤C得到的芯片进行固相老化处理；

步骤E: 将步骤D制备的焊点凸台放置于盐酸酒精中，再用超声振荡，清洗，烘干，即得具有择优取向的Cu6Sn5焊盘；

步骤F: 将步骤E制备的焊点凸台倒置于倒扣于对应的电路板Cu金属层上，经回流焊工艺即可得到单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构。

2.一种单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构的制备方法，其特征在于，包括以下几个步骤：

步骤A: 采用电镀工艺在晶圆上阵列出Cu焊盘；

步骤B: 在所述Cu焊盘上制备的钎料,制成凸台；

步骤C′: 对制备得到的凸台进行重熔20-600min；

步骤D′: 将步骤C′制备的焊点凸台放置于盐酸酒精中，再用超声振荡，清洗，烘干，即得具有择优取向的Cu6Sn5焊盘；

步骤E′: 将步骤D′制备的焊点凸台倒置于倒扣于对应的电路板Cu金属层上，经回流焊工艺即可得到单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构。

3.如权利要求1或2所述的具有单一取向Cu₆Sn₅金属间化合物微互连焊点结构的制备方法，其特征在于，所述钎料采用SnAgCu或SnPbCu钎料。

4.如权利要求3所述的具有单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构的制备方法，其特征在于，所述Sn-Ag-Cu钎料中，按重量百分比，包括：3.0-4.0wt%的Ag，0-0.7 wt% 的Cu，余量为Sn。

5.如权利要求3所述的具有单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构的制备方法，其特征在于，所述Sn-Pb-Cu钎料中，按重量百分比，包括：30-45wt%的Pb，0-0.7 wt%的Cu，余量为Sn。

6.如权利要求1所述的具有单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构的制备方法，其特征在于，所述步骤C中重熔的加热温度为液相线5℃以上至250℃，加热时间30-120s。

7.如权利要求1所述的具有单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构的制备方法，其特征在于，所述步骤D中，老化温度100-150℃，老化时间20-100d。

8.如权利要求2所述的具有单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构的制备方法，其特征在于，所述步骤C′中重熔的加热温度为液相线5℃以上至250℃，加热时间20-600min。

9.如权利要求1或2所述的具有单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构的制备方法，其特征在于，所述步骤E和D′中，盐酸酒精溶液中盐酸比酒精的质量浓度为1-5%，超声清洗时间为1min。

10.如权利要求1或2所述的具有单一取向Cu6Sn5金属间化合物微互连焊点结构的制备方法，其特征在于，所述步骤E′和F中，回流焊工艺参数为液相线10℃以上至300℃。