[发明专利]半导体器件和制作无凸块倒装芯片互连结构的方法在审
申请号: | 201310651453.6 | 申请日: | 2013-12-06 |
公开(公告)号: | CN103887191A | 公开(公告)日: | 2014-06-25 |
发明(设计)人: | 金敬文;李求鸿;李在学;金永澈;L.洪;P.C.马里穆图;S.安德森;林诗轩;池熺朝 | 申请(专利权)人: | 新科金朋有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/48;H01L23/488 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 马红梅;胡莉莉 |
地址: | 新加*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 制作 无凸块 倒装 芯片 互连 结构 方法 | ||
1.一种制作半导体器件的方法,包括:
提供衬底;
将掩模设置在所述衬底上;
通过所述掩模以及在所述衬底的接触焊盘上印刷导电浆料;
将半导体管芯设置在所述导电浆料上;以及
使所述导电浆料回流以在所述衬底的接触焊盘上形成互连结构。
2.根据权利要求1的方法,其中所述导电浆料和所述衬底的接触焊盘包括铝。
3.根据权利要求1的方法,还包括:
将所述半导体管芯的接触焊盘设置在所述导电浆料上;以及
使所述导电浆料回流以在所述半导体管芯的接触焊盘和所述衬底的接触焊盘之间形成互连结构。
4.根据权利要求3的方法,其中所述互连结构被直接形成在所述衬底的接触焊盘上以及被直接形成在所述半导体管芯的接触焊盘上。
5.根据权利要求3的方法,还包括在所述衬底上形成环氧预点以保持所述半导体管芯和所述衬底之间的分离。
6.一种制作半导体器件的方法,包括:
提供衬底;
将掩模设置在所述衬底上;
将可涂抹导电材料沉积在所述衬底上;
将半导体管芯设置在所述可涂抹导电材料上;以及
使所述可涂抹导电材料回流以在所述衬底上形成互连结构。
7.根据权利要求6的方法,还包括:
在所述可涂抹导电材料上设置所述半导体管芯的接触焊盘;以及
使所述可涂抹导电材料回流以在所述半导体管芯的接触焊盘和所述衬底的接触焊盘之间形成互连结构。
8.根据权利要求7的方法,其中所述互连结构被直接形成在所述衬底的接触焊盘上以及被直接形成在所述半导体管芯的接触焊盘上。
9.根据权利要求7的方法,还包括在使所述可涂抹导电材料回流之前对所述半导体管芯的接触焊盘进行蚀刻。
10.根据权利要求6的方法,还包括在所述衬底的接触焊盘上形成导电柱以保持所述半导体管芯和所述衬底之间的分离。
11.一种半导体器件,包括:
衬底;
沉积在所述衬底的接触焊盘上的导电材料;以及
设置在所述导电材料上的半导体管芯。
12.根据权利要求11的半导体器件,还包括设置在所述半导体管芯和所述衬底之间的环氧预点。
13.根据权利要求11的半导体器件,还包括延伸到所述导电材料中的导电柱。
14.根据权利要求11的半导体器件,其中所述导电材料被沉积在所述半导体器件的接触焊盘上。
15.根据权利要求14的半导体器件,其中所述衬底的接触焊盘包括铝。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造