[发明专利]封装用键合丝及其制备方法

权利要求书

1.一种封装用键合丝，其特征在于，包括中心母线，所述中心母线的外表面镀有钯膜。

2.根据权利要求1所述的封装用键合丝，其特征在于，在所述钯膜的上面还镀有金膜。

3.根据权利要求2所述的封装用键合丝，其特征在于，所述钯膜的厚度为0.01-0.3微米；所述金膜的厚度为0.01-0.3微米。

4.根据权利要求1-3任一项所述的封装用键合丝，其特征在于，所述中心母线的横截面直径为80-200微米。

5.根据权利要求4所述的封装用键合丝，其特征在于，所述中心母线包括以下任一种：金银合金线、铜线。

6.根据权利要求5所述的封装用键合丝，其特征在于，

当所述中心母线包括金银合金线时，制备所述金银合金线的金的纯度大于99.99%，银的纯度大于99.99，所述银的质量百分比含量为80%-99.99wt%，所述金的质量百分比含量为19.99-0.00wt%，所述金和所述银的质量百分比之和为99.99%，所含的铋的含量小于30ppm，总杂质含量低于100ppm；或，

当所述中心母线包括铜线时，制备所述铜线的铜为纯度大于99.99%的单晶无氧铜。

7.一种如权利要求1-6任一项所述的封装用键合丝的制备方法，其特征在于，包括：

A.制备中心母线；

B.采用真空镀的方式，在所述中心母线的外表面镀有钯膜；

C.将镀有所述钯膜的所述中心母线进行多次拉伸；

D.清洗；

E.退火得成品。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在所述B之后，在所述C之前，所述方法还包括：采用真空镀的方式，在所述钯膜上镀金膜；则，

所述C为：将镀有所述金膜的所述中心母线进行多次拉伸。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述制备中心母线包括：

选择中心母线的原料，所述原料包括以下一种或多种：金、银、铜；

将所述原料进行熔炼、铸造、拉伸成铸棒；

将所述铸棒继续进行多次拉伸至横截面直径为80-200微米的所述中心母线。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述钯膜的镀膜材料为环形钯靶，纯度为大约99.99%，晶粒小于200微米；所述金膜的镀膜材料为环形金靶，纯度为大于99.99%，晶粒小于200微米。