[发明专利]热电半导体温度传感片的单臂结构及制备工艺

权利要求书

1.一种热电半导体温度传感片的单臂结构，该单臂结构包括热电半导体，及位于热电半导体两端的Cu导流片（4），其特征在于所述热电半导体的两端与各自Cu导流片（4）之间设有三个过渡层，分别为喷Ni层（1）、镀Ni层（2）、镀Sn₉₅Ag₅层（3），由热电半导体的端部至Cu导流片表面依次为喷Ni层、镀Ni层、镀Sn₉₅Ag₅层。

2.一种如权利要求1所述的热电半导体温度传感片的单臂结构的制备工艺，其特征在于该制备工艺包括以下步骤：

步骤一：喷Ni层（1），先在200^oC温度下采用YW-201水溶性助剂去除热电半导体两端面的表面氧化物，然后在热电半导体两端面喷Ni，喷Ni层的厚度控制在0.15～0.25微米，将喷Ni后的热电半导体在50^oC～60^oC的真空环境中烘烤9～11小时；

步骤二：镀Ni层（2），镀Ni前采用YW-201水溶性助剂去除喷Ni层表面的表面氧化物，然后采用射频磁控溅射法在喷Ni层表面镀Ni，镀Ni层厚度控制在0.15～0.25微米，镀Ni后在50^oC～60^oC的真空环境中进行4~6小时的退火热处理；

步骤三：镀Sn₉₅Ag₅层（3），采用热浸焊法将第二步得到的热电半导体浸在熔融的Sn₉₅Ag₅液体中，浸渍时间2～3秒，取出清洗后，在50^oC～60^oC的真空环境中烘烤9～11小时；

步骤四：钎焊：以Sn₉₅Ag₅作为焊剂，在第三步得到的热电半导体镀Sn₉₅Ag₅层的端面钎焊至Cu导流片（4）上；

步骤五：将第四步制得的热电半导体单臂在50^oC～60^oC的真空环境中退火9～11小时。