[发明专利]LED外延片及其应用

权利要求书

1.一种LED外延片，自下而上依次包括：衬底、GaN成核层、GaN缓冲层、n型GaN层、有源层、p型GaN层以及p型接触层；其特征在于：所述有源层具有由至少两对MQW发光层组成，所述MQW发光层包括由AlGaN/n-GaN交替堆叠组成的超晶格量子垒层及由InGaN构成的量子阱层，所述AlGaN/n-GaN超晶格量子垒层对中Al组分值呈线性平稳上升再线性平稳下降趋势，满足以下关系式：n型杂质浓度值呈线性平稳下降再线性平稳上升趋势，并满足以下关系式：N(m)=(a+b(x-X+12)2)*N(m-1),]]>关系式中a、b为固定常数，X代表超晶格量子垒层的总对数，x代表第x对超晶格量子垒层，1＜x≤X，0＜a≤18，0＜b≤18。

2.如权利要求1所述的LED外延片，其特征在于：所述MQW发光层总对数为3-40对。

3.如权利要求2所述的LED外延片，其特征在于：所述超晶格量子垒层中AlGaN/n-GaN交替堆叠的对数大于1且小于等于100。

4.如权利要求3所述的LED外延片，其特征在于：所述衬底为蓝宝石、碳化硅、硅、锗、氮化镓、氮化铝镓或氮化铝。

5.如权利要求4所述的LED外延片，其特征在于：所述超晶格量子垒层中n-GaN层的n型掺杂杂质为Si元素；所述LED结构中P型GaN层中p型掺杂杂质为Mg元素。

6.如权利要求5所述的LED外延片，其特征在于：每对所述MQW发光层中AlGaN层Al组分变化范围为0%-40%，n-GaN层n型杂质浓度变化范围为5×10¹⁶cm^-3-1×10¹⁹cm^-3。

7.如权利要求6所述的LED外延片，其特征在于：每对所述MQW发光层中的AlGaN层厚度变化范围为0.1nm至40nm，所述n-GaN层厚度变化化范围为0.3nm至120nm。

8.如权利要求7所述的LED外延片，其特征在于：每对所述MQW发光层中的AlGaN与相应的n-GaN层的厚度比例为1:5-1:1之间。

9.如权利要求1所述的LED外延片的应用，其特征在于：所述LED外延结构可应用于高功率发光器件。