[发明专利]一种低功耗的熔丝读取电路及方法在审

专利信息
申请号: 201310653381.9 申请日: 2013-12-04
公开(公告)号: CN103915118A 公开(公告)日: 2014-07-09
发明(设计)人: 田泽;邵刚;郎静;李世杰;杨峰;郭蒙;王泉 申请(专利权)人: 中国航空工业集团公司第六三一研究所
主分类号: G11C17/18 分类号: G11C17/18
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 杨引雪
地址: 710119 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 功耗 读取 电路 方法
【权利要求书】:

1.一种低功耗的熔丝读取电路,其特征在于:包括熔丝、上电复位及熔丝状态读取模块、锁存模块、逻辑判断模块、第一开关和第二开关;所述熔丝一端接地,另一端用于接收控制信号;第一开关一端用于连接外部电源,另一端与上电复位及熔丝状态读取模块连接;第二开关一端与上电复位及熔丝状态读取模块连接,另一端与熔丝接收控制信号端连接;上电复位及熔丝状态读取模块用于监测外部电源电压,根据电源电压的大小控制第一开关和第二开关的导通和关闭,以及读取熔丝状态并输出信号;所述锁存模块是与熔丝并联的电容;用于当熔丝状态为烧断时,将电容的状态锁存,用时关闭第一开关的电路通路;所述逻辑判断模块用于确定所述熔丝状态。

2.根据权利要求1所述的低功耗的熔丝读取电路,其特征在于:所述上电复位及熔丝状态读取模块内置的时序产生模块,产生读取和锁存熔丝状态的时序,控制熔丝状态读取电路的工作。

3.根据权利要求2所述的低功耗的熔丝读取电路,其特征在于:所述第一开关、第二开关均为金属氧化物半导体晶体管。

4.根据权利要求1至3任一所述的低功耗的熔丝读取电路,其特征在于:所述第一开关与第二开关之间串联一个用于限制峰值电流电阻。

5.一种低功耗的熔丝读取方法,其特征在于,包括以下步骤:

1]上电复位模块监测外部电源电压,在电压达到阈值电压时,第一数字逻辑电平置为低电平,第一开关导通,对电容进行预先充电;

2]电容完成充电后,熔丝状态信号置为高电平,此时第一开关关闭,第二开关导通;

3]第二开关导通后进行熔丝状态的读取,如果熔丝的状态为连接,则步骤1中存储在电容上的电荷将流经第二开关和熔丝进行泄放,使得电容的上极板最终状态为低;如果熔丝的状态为烧断,则存储在电容上的电荷将保持,使得电容的上极板最终状态为高;

4]上电复位模块在熔丝状态被读取到电容的上极板后将第二数字逻辑电平置为高电平,将电容上的状态输入至锁存模块,并由锁存模块输出;

5]第二数字逻辑电平置为低电平,将电容的状态锁存,同时第一数字逻辑电平置为高电平,关闭第一开关的电流通路。

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