[发明专利]电熔丝结构在审
| 申请号： | 201310654425.X | 申请日： | 2013-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN104701294A | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | 廖淼 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电熔丝 结构 | ||
1.一种电熔丝结构，其特征在于，包括：
基底，在所述基底中形成有浅沟槽隔离结构；
位于所述浅沟槽隔离结构上的电熔丝，所述电熔丝包括阳极、阴极、和位于所述阳极和阴极之间的熔丝；
所述熔丝包括本体部、和位于所述本体部侧壁且沿所述本体部长度方向分布的多个凸部，位于所述本体部同一侧壁的相邻两凸部之间具有空隙。
2.如权利要求1所述的电熔丝结构，其特征在于，所述凸部具有沿所述本体部宽度方向的第一线宽，位于所述本体部同一侧壁的相邻两凸部的第一线宽相等。
3.如权利要求1所述的电熔丝结构，其特征在于，所述凸部具有沿所述本体部长度方向的第二线宽，位于所述本体部同一侧壁的相邻两凸部的第二线宽相等。
4.如权利要求1所述的电熔丝结构，其特征在于，所述间隙具有沿所述本体部长度方向的第三线宽，位于所述本体部同一侧壁的间隙的第三线宽相等。
5.如权利要求1～4任一项所述的电熔丝结构，其特征在于，所述本体部两侧壁的多个凸部关于所述本体部对称。
6.如权利要求1所述的电熔丝结构，其特征在于，所述凸部的边缘线条呈弧形。
7.如权利要求1所述的电熔丝结构，其特征在于，所述电熔丝的材料为掺杂多晶硅。
8.如权利要求1所述的电熔丝结构，其特征在于，还包括：
位于所述基底上的层间介质层，所述层间介质层覆盖基底和电熔丝；位于所述层间介质层中的第一导电插塞和第二导电插塞，所述第一导电插塞和阳极电连接，所述第二导电插塞和阴极电连接。
9.如权利要求8所述的电熔丝结构，其特征在于，在所述第一导电插塞和阳极之间、所述第二导电插塞和阴极之间具有金属硅化物。
10.如权利要求9所述的电熔丝结构，其特征在于，所述金属硅化物为镍硅、钛硅或钴硅。
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