[发明专利]调整双极结型晶体管集电极反向击穿电压的方法有效
| 申请号： | 201310654659.4 | 申请日： | 2013-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN103681313A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 于祝鹏 | 申请（专利权）人： | 深圳深爱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 调整 双极结型 晶体管 集电极 反向 击穿 电压 方法 | ||
1.一种调整双极结型晶体管集电极反向击穿电压的方法，其特征在于，包括在氢气气氛中对集电极反向击穿电压大于预期值的双极结型晶体管进行退火，以降低集电极反向击穿电压的步骤。
2.根据权利要求1所述的调整双极结型晶体管集电极反向击穿电压的方法，其特征在于，包括检测双极结型晶体管的集电极反向击穿电压是否大于预期值的步骤。
3.根据权利要求1所述的调整双极结型晶体管集电极反向击穿电压的方法，其特征在于，所述在氢气气氛中对集电极反向击穿电压大于预期值的双极结型晶体管进行退火的步骤之前，包括使双极结型晶体管的铝和硅形成合金的步骤。
4.根据权利要求1所述的调整双极结型晶体管集电极反向击穿电压的方法，其特征在于，所述在氢气气氛中对集电极反向击穿电压大于预期值的双极结型晶体管进行退火的步骤之后，包括在所述合金表面淀积氮化硅的步骤。
5.根据权利要求1-4中任意一项所述的调整双极结型晶体管集电极反向击穿电压的方法，其特征在于，所述在氢气气氛中对集电极反向击穿电压大于预期值的双极结型晶体管进行退火的步骤的退火温度为425～435℃。
6.根据权利要求5所述的调整双极结型晶体管集电极反向击穿电压的方法，其特征在于，所述退火温度为430℃。
7.根据权利要求5所述的调整双极结型晶体管集电极反向击穿电压的方法，其特征在于，所述在氢气气氛中对集电极反向击穿电压大于预期值的双极结型晶体管进行退火的步骤，包括预热及双极结型晶体管移入阶段、集电极反向击穿电压调整阶段、双极结型晶体管移出阶段，所述预热及双极结型晶体管移入阶段和双极结型晶体管移出阶段需要通入保护气体。
8.根据权利要求7所述的调整双极结型晶体管集电极反向击穿电压的方法，其特征在于，所述集电极反向击穿电压调整阶段需要通入氢气及所述保护气体，流量分别为：氢气0.9标准公升每分钟±1%，保护气体9标准公升每分钟±1%。
9.根据权利要求8所述的调整双极结型晶体管集电极反向击穿电压的方法，其特征在于，所述集电极反向击穿电压调整阶段的持续时间根据需要降低的集电极反向击穿电压值确定，每10伏特30分钟。
10.根据权利要求6-9中任意一项所述的调整双极结型晶体管集电极反向击穿电压的方法，其特征在于，所述保护气体为氮气。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
