[发明专利]一种采用干氧氧化法制备局域背场钝化电池的方法

权利要求书

1.一种采用干氧氧化法制备局域背场钝化电池的方法，其特征在于，所述方法依次包括如下步骤：

（1）选用P型多晶硅片作衬底，经制绒抛光，通过高温扩散在硅片上制备方块电阻值为95～110Ω/□的P-N结；所述高温扩散参数如下：扩散温度为800～850℃，扩散时间为30～50min，扩散后进行退火，退火时间为300～500s；

（2）去除硅片背面和边缘的P-N结；

（3）用双氧水和氨水混合水溶液清洗硅片后，在干氧环境下对硅片进行氧化，所述氧化参数为：氧化最高温度为800～830℃，氧化时间为10～25min，氧化后进行退火，退火时间≥15min，在硅片背面生长一层8～12nm的SiO₂；氧化后方块电阻值为80～85Ω/□；

（4）在硅片背面的SiO₂上镀一层厚度为120～180nm的SiNx保护膜；

（5）在硅片正面沉积厚度为40～70nm的SiNx减反射膜，SiNx减反射膜折射率为2.0～2.2；PECVD法参数如下：采用一步沉积方式镀膜，氨气流量设定为3.3～4.2slm，硅烷流量设定为0.25～0.35slm，控制氨气流量与硅烷流量之比为8～12，射频电源功率为4200～4500W，沉积时间为400～600S；

（6）设置硅片背面电极接触图形：图形线宽为30～45μm，线间距为800～1500μm；用P秒激光器对硅片进行开膜；

（7）在硅片上依次印刷背电极、铝浆和银浆，对硅片进行烧结，控制烧结峰值温度为870～890℃，烧结后在背面开膜区域形成铝硅合金层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（1）所述P型多晶硅片为P型掺硼多晶硅片，其电阻率为1～3Ω·cm。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（1）所述P-N结深度≤0.25μm，表层峰值浓度≥1×10²⁰/cm³。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（1）所述制绒抛光是用湿法链式制绒机对硅片制绒，在硅片正面镀SiNx保护膜后进行抛光，抛光时采用的抛光液为质量百分比含量为5～12%的NaOH溶液，抛光温度为65～85℃，腐蚀时间为2～3min；抛光后硅片背面平均加权反射率≥75%。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（3）所述双氧水和氨水混合水溶液中，双氧水与氨水的质量比为1:1，双氧水溶液中双氧水与水的质量比为1：4～8，氨水溶液中氨水与水的质量比为1：4～8。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤（3）所述清洗硅片是要清洗5min以上。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（6）所述P秒激光器的波长为350～532nm，功率为10～30W。