[发明专利]引线框架和封装结构的形成方法

权利要求书

1.一种封装结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供引线框架，所述引线框架包括第一表面和与第一表面相对的第二表面，所述引线框架上具有若干呈矩阵排布的承载单元和位于承载单元之间用于固定承载单元的中筋，每个承载单元具有若干分立的引脚，相邻引脚之间具有第一开口；

形成填充满第一开口的第一塑封层；

形成第一塑封层后，在所述引线框架的第一表面上形成绝缘层，所述绝缘层中具有暴露引脚的表面的第二开口；

在形成绝缘层后，在所述承载单元之间的部分中筋中以及中筋上的绝缘层中形成若干分立的贯穿中筋和绝缘层厚度的槽孔，在将若干半导体芯片倒装在引线框架上时，槽孔使得半导体芯片和引线框架第一表面之间的空间是相通的；

提供若干半导体芯片，每个半导体芯片上具有若干焊盘，所述焊盘上形成有金属凸块；

将若干半导体芯片倒装在引线框架上，使半导体芯片与引线框架中的承载单元对应，将半导体芯片上的金属凸块与第二开口暴露的引脚的表面相焊接，形成若干矩阵排布的封装单元；

在形成槽孔后和将若干半导体芯片倒装在引线框架上之后，形成覆盖所述半导体芯片和绝缘层的第二塑封层，且所述第二塑封层填充槽孔；

沿封装单元进行切割，形成若干分立的封装结构。

2.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述引线框架的形成过程为：提供引线框金属层，所述引线框金属层包括若干呈矩阵排布的承载区域和位于相邻的承载区域之间的中筋区域；刻蚀所述引线框金属层的承载区域，形成若干分立的引脚，相邻引脚之间具有第一开口，引脚的一个侧面与中筋区域相连，另外三个侧面悬空，每个承载区域中形成的若干引脚构成引线框架的承载单元，固定引脚的中筋区域构成引线框架的中筋。

3.如权利要求2所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述第一开口包括相互贯穿的第一子开口和第二子开口，所述第一子开口的宽度小于第二子开口的宽度，在所述引脚的远离第二子开口的表面上形成绝缘层。

4.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，还包括：以所述绝缘层为掩膜，沿第二开口刻蚀引脚的表面，在引脚内形成凹槽。

5.如权利要求4所述的封装结构的形成方法，其特征在于，在所述凹槽和第二开口内形成焊料层，所述金属凸块与焊料层焊接在一起。

6.如权利要求5所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述焊料层的表面高于、等于或低于绝缘层的表面。

7.如权利要求6所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述焊料层的表面低于绝缘层的表面时，所述金属凸块的尺寸小于第二开口的尺寸，金属凸块深入第二开口内与焊料层焊接在一起。

8.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，在形成第二塑封层之前，还包括：对每个半导体芯片的焊盘与绝缘层之间的空间进行底填工艺，形成填充层。