[发明专利]一种基于微机电系统的挠曲电式微压力传感器有效

专利信息
申请号: 201310655468.X 申请日: 2013-12-06
公开(公告)号: CN103630274A 公开(公告)日: 2014-03-12
发明(设计)人: 李斯;梁旭;申胜平;徐明龙 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: G01L1/16 分类号: G01L1/16
代理公司: 西安智大知识产权代理事务所 61215 代理人: 何会侠
地址: 710049*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 微机 系统 挠曲 式微 压力传感器
【权利要求书】:

1.一种基于微机电系统的挠曲电式微压力传感器,包括固定的硅薄膜(2),其特征在于:在所述硅薄膜(2)的顶部嵌入挠曲电介电薄膜(3)后覆盖有绝缘层(4),并在硅薄膜(2)周边也设置有绝缘层(4),所述挠曲电介电薄膜(3)上下表面分别设置有上电极(5)和下电极(6),与所述挠曲电介电薄膜(3)的上电极(5)和下电极(6)分别连接有两条输出测量电荷信号的引线(7),所述硅薄膜(2)下方具有施加压力的压力通道(8)。

2.根据权利要求1所述的一种基于微机电系统的挠曲电式微压力传感器,其特征在于:所述硅薄膜(2)和挠曲电介电薄膜(3)均置于金属外壳(1)内,引线(7)的一端从金属外壳(1)引出。

3.根据权利要求1所述的一种基于微机电系统的挠曲电式微压力传感器,其特征在于:所述引线(7)与挠曲电介电薄膜(3)的上电极(5)和下电极(6)分别通过引线键合的方式连接。

4.根据权利要求1所述的一种基于微机电系统的挠曲电式微压力传感器,其特征在于:所述挠曲电介电薄膜(3)为钛酸锶钡薄膜。

5.根据权利要求1所述的一种基于微机电系统的挠曲电式微压力传感器,其特征在于:所述挠曲电介电薄膜(3)嵌入在硅薄膜(2)的顶部中央。

6.根据权利要求1所述的一种基于微机电系统的挠曲电式微压力传感器,其特征在于:在所述硅薄膜(2)的顶部全部嵌入挠曲电介电薄膜(3)。

7.根据权利要求1所述的一种基于微机电系统的挠曲电式微压力传感器,其特征在于:所述硅薄膜(2)通过其周边的绝缘层(4)固定在置于硅薄膜(2)下方的约束底座(9)上,所述约束底座(9)为中空结构形成压力通道(8)。

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