[发明专利]化合物硼酸钡和硼酸钡光学晶体及制备方法和用途有效
| 申请号： | 201310656259.7 | 申请日： | 2013-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN104695016A | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | 潘世烈;刘莉莉;杨云 | 申请（专利权）人： | 中国科学院新疆理化技术研究所 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B15/00;C01B35/12 |
| 代理公司： | 乌鲁木齐中科新兴专利事务所 65106 | 代理人： | 张莉 |
| 地址： | 830011 新疆维吾尔*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化合物 硼酸 光学 晶体 制备 方法 用途 | ||
1.一种化合物硼酸钡，其特征在于该化合物的化学式为Ba2B10O17，空间群分子量654.7538，采用固相反应法合成化合物。
2.一种化合物硼酸钡光学晶体，其特征在于该晶体的化学式为Ba2B10O17，晶体属三斜晶系，空间群
3.根据权利要求2所述的化合物硼酸钡光学晶体的制备方法，其特征在于采用提拉法生长晶体，具体操作按下列步骤进行：
a、将化合物硼酸钡在坩埚中加热至温度890-950℃，恒温48-80h，再降至温度868-872℃，得到Ba2B10O17熔体；
b、以温度0-10℃/h的速率缓慢降至室温，结晶获得籽晶或在降温中使用铂丝悬挂法获得小晶体作为籽晶；
c、在化合物熔体表面或熔体中生长晶体：将步骤b籽晶固定在籽晶杆上，从顶部下籽晶与步骤a化合物熔体表面接触，降温至860－865℃；或将步骤a化合物熔体直接降温至860－865℃，再与固定在籽晶杆上籽晶接触；
d、再以温度0-5℃/天的速率缓慢降温，并以13-17mm/h的速度向上提拉晶体，待单晶生长到所需尺度后，将晶体提离混合熔体表面，并以温度10-50℃/h速率降至室温，然后将晶体从炉膛中取出，即可得到化合物硼酸钡光学晶体。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于步骤a所述化合物硼酸钡中含钡的化合物为碳酸钡、硝酸钡、氢氧化钡，碳酸氢钡或氧化钡，含硼化合物为硼酸或氧化硼。
5.根据权利要求2所述的化合物硼酸钡光学晶体在制备制作光学调制器，光束位移器，光隔离器，光学起偏器或环形器的用途。
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