[发明专利]一种基于有机薄膜晶体管一氧化碳气体传感器的制备方法

权利要求书

1.一种基于有机薄膜晶体管一氧化碳气体传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

①先对衬底进行彻底的清洗，清洗后干燥；

②在衬底的表面制备栅电极，形成栅电极的图形；

③在镀有栅电极的基板的上制备介电层；

④对形成的介电层进行氧等离子轰击；

⑤在已形成栅电极，以及己覆盖经氧等离子轰击的介电层的基板上制备有机半导体膜；

⑥然后制备源电极和漏电极，形成源电极，漏电极图案。

2.根据权利要求1所述的一种基于有机薄膜晶体管一氧化碳气体传感器的制备方法，其特征在于：所述步骤④中，氧等离子轰击功率范围为20~1000 W，轰击时间为1~120秒。

3.根据权利要求1所述的一种基于有机薄膜晶体管一氧化碳气体传感器的制备方法，其特征在于：所述步骤③中，介电层包括二氧化硅、三氧化二铝、五氧化二钽、氮化硅、二氧化钛、二氧化铪、聚乙烯醇、聚酰亚胺、聚乙烯吡咯烷酮、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯或聚乙烯，介电层厚度为5~2000 nm。

4.根据权利要求1所述的一种基于有机薄膜晶体管一氧化碳气体传感器的制备方法，其特征在于：所述步骤①中，衬底由硅片、玻璃、聚合物薄膜或金属箔制成。

5.根据权利要求1所述的一种基于有机薄膜晶体管一氧化碳气体传感器的制备方法，其特征在于：所述步骤⑤中，有机半导体层包括并四苯、并五苯、6，13-二三异丙酯硅基乙炔并五苯、酞菁铜、酞菁锌、酞菁钴、红荧烯、六噻吩、聚噻吩或富勒烯，有机半导体层厚度为2~100 nm。

6.根据权利要求1所述的一种基于有机薄膜晶体管一氧化碳气体传感器的制备方法，其特征在于：所述步骤②⑥中，栅电极、源电极和漏电极由金属及其合金材料、金属氧化物或导电复合材料制成，源电极和漏电极的厚度为10~100 nm。

7.根据权利要求1所述的一种基于有机薄膜晶体管一氧化碳气体传感器的制备方法，其特征在于：所述步骤②⑥中，栅电极、源电极、漏电极是通过真空热蒸镀、磁控溅射、等离子体增强的化学气相沉积、丝网印刷、打印或旋涂中的一种方法制备。

8.根据权利要求1所述的一种基于有机薄膜晶体管一氧化碳气体传感器的制备方法，其特征在于：所述步骤③中，介电层是通过等离子体增强的化学气相沉积、热氧化、旋涂或者真空蒸镀中的一种方法制备。

9.根据权利要求1所述的一种基于有机薄膜晶体管一氧化碳气体传感器的制备方法，其特征在于：所述步骤⑤中，有机半导体层是通过等离子体增强的化学气相沉积、热氧化、旋涂、真空蒸镀、辊涂、滴膜、压印、印刷或气喷中的一种方法制备。