[发明专利]一种元器件抗总剂量生存能力预估方法

权利要求书

1.一种元器件抗总剂量生存能力预估方法，包括：

步骤1）、获取一组实测的同批次MOS器件总剂量辐照数据，根据这些总剂量辐照数据，计算出器件总剂量耐量的几何平均数总剂量耐量的对数标准差σ；

步骤2）、MOS器件抗总剂量生存概率与空间环境指标要求、总剂量余量之间的关系存在对数正态分布：

F(D)=Φ(ln(D/D~)σ)]]>

式中，F(D)——累积总剂量失效概率；

D——环境总剂量，单位为rad（Si）；

——器件总剂量耐量的几何平均值，单位为rad（Si）；

σ——总剂量耐量的对数标准差；

绘出F(D)～D的关系曲线；

步骤3）、由总剂量生存概率P(D)＝1-F(D)，得到：

P(D)=Φ(ln(D~/D)σ)]]>

根据和σ的拟合值，绘出F(D)～D的关系曲线；

步骤4）、在步骤3中的公式中，设得到：

P(M)=Φ(lnMσ)]]>

以器件总剂量耐量对数标准差σ为变参数，绘出P(M)～M的关系曲线；

步骤5）、批次性MOS器件的抗总剂量生存概率与总剂量效应失效阈值标准差σ有关，控制σ在有限的总剂量余量下提高生存概率。

2.根据权利要求1所述的一种元器件抗总剂量生存能力预估方法，其特征在于，控制所述总剂量效应失效阈值标准差σ实现对元器件在空间环境中的抗总剂量生存概率的预估。