[发明专利]一种单晶硅酸腐蚀片的加工方法

权利要求书

1.一种单晶硅酸腐蚀片的加工方法，其特征在于，采取如下工艺：

a.将倒角后的硅片用双面磨削机进行双面研磨；

b.酸腐蚀液按照以下组分的重量百分比进行配制：氢氟酸（HF）：8.27-9.03%，硝酸（HNO₃）：39.9-40.24%，醋酸（CH₃COOH）：21.60-23.1%，其余组分为去离子水；

c.把每个卡槽内放入2片研磨后的硅片，并导入酸腐机滚筒内，在加工硅片过程中，酸腐蚀液的温度保持在25-40℃范围内，腐蚀时间为30-50s，开启抛动，并且全程鼓吹氮气；

d.每腐蚀2筒硅片之后，就将在用酸腐蚀液排出一部分酸液，排出量为在用酸腐蚀液总重量的2%-3%，然后补充同等重量份的新的酸腐蚀液来维持在用酸腐蚀液的浓度动态平衡；

e.腐蚀结束后，每加工100片，抽测10片硅片表面。检验其光泽度，表面，厚度和TTV，合格后进行包装。

2.如权利要求1所述的加工方法，其特征在于：硅片研磨的双面去除量为32±2μm。

3.如权利要求1所述的加工方法，其特征在于：在加工过程中鼓吹氮气的位置位于距离酸处理槽后端50-150mm处，氮气流量为100-300L/min，氮气压力为80-300Pa。

4.如权利要求3所述的加工方法，其特征在于：在加工过程中鼓吹氮气的位置位于距离酸处理槽后端100-120mm处，氮气流量为200-300L/min，氮气压力为300Pa。