[发明专利]镀膜设备

说明书

技术领域

本发明是有关于一种加工设备，且特别是有关于一种镀膜设备。

背景技术

真空溅镀设备在半导体相关产业中已获得广泛的应用，举例来说，触控显示面板中的透明导电薄膜可利用真空溅镀设备来制作。详细而言，真空溅镀是属于物理气相沉积(PVD)技术的一种，普遍应用在半导体加工的成膜程序中，其在真空腔体内的溅镀靶源的阴、阳电极之间施加高电压以将惰性气体(如氩气)高温离子化成等离子体(plasma)，而等离子体中的离子会轰击溅镀靶材，使得溅镀靶材的原子或分子溅飞出并沉积、附着在工件表面上以形成薄膜。

由于溅镀靶材在被离子轰击的过程中会持续升温，故真空溅镀设备一般利用冷却管来对溅镀靶材进行散热。然而，在湿度较高的环境中，低温的冷却管上容易产生冷凝水，冷凝水若无法及时被排出则可能流至阴、阳电极处，使阴、阳电极导通而造成短路。一种解决此问题的方法为将进行溅镀加工场所的湿度控制为较低以避免冷却管上产生冷凝水，但是控制环境湿度较为耗费能源且会增加设备成本。

发明内容

本发明提供一种镀膜设备，可有效避免靶源短路。

本发明的镀膜设备包括中空座体、靶源及散热元件。中空座体具有开口。中空座体内具有至少一导引斜面，导引斜面往开口倾斜。靶源固定于中空座体且适于对工件进行镀膜。散热元件位于中空座体内以对靶源进行散热。来自散热元件的液体适于沿导引斜面往开口流动并通过开口而离开中空座体。

在本发明的一实施例中，上述的散热元件为冷却管并通过开口而延伸至中空座体内，液体为凝结在冷却管上的冷凝水。

在本发明的一实施例中，上述的导引斜面邻接开口。

在本发明的一实施例中，上述的中空座体包括第一侧壁及至少一第二侧壁，靶源固定于第一侧壁，导引斜面形成于第二侧壁。

在本发明的一实施例中，上述的至少一第二侧壁的数量为多个，至少一导引斜面的数量为多个，这些导引斜面分别形成于这些第二侧壁。

在本发明的一实施例中，上述的中空座体的内径沿远离开口的方向渐减而形成导引斜面。

在本发明的一实施例中，上述的中空座体具有开槽，靶源位于中空座体外部且对位于开槽。

在本发明的一实施例中，上述的靶源包括第一电极、第二电极、靶材及绝缘材。靶材配置于第一电极与第二电极之间。绝缘材配置于开槽的周缘且用以隔绝第一电极与第二电极。

在本发明的一实施例中，上述的镀膜设备还包括主体，其中开口形成于中空座体的末端，中空座体以末端固定于主体而沿水平方向延伸，水平方向垂直于重力方向，至少一导引斜面倾斜于水平方向。

在本发明的一实施例中，上述的主体为真空腔体，中空座体固定于真空腔体的内壁，工件适于在真空腔体内进行镀膜。

基于上述，在本发明的镀膜设备中，中空座体内具有导引斜面且此导引斜面往中空座体的开口倾斜。当中空座体内的散热元件(如冷却管)的表面因环境湿度较高而产生冷凝水时，冷凝水会通过导引斜面的导引而往开口流动并通过开口被排出中空座体。据此，不需对环境湿度进行控制就能够避免靶源因接触冷凝水而产生短路现象，以节省设备成本并提升加工品质。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1是本发明一实施例的镀膜设备的俯视示意图；

图2是图1的中空座体及靶源的立体图；

图3是图1的镀膜设备沿I-I线的剖视图；

图4是图1的中空座体及靶源的俯视图；

图5是图1的中空座体及靶源沿II-II线的剖面图。

附图标记说明：

50：工件；

60：法兰；

70：密封件；

100：镀膜设备；

110：主体；

110a：内壁；

120：中空座体；

120a：末端；

120b：开口；

122：第一侧壁；

122a：开槽；

124、126、128：第二侧壁；

124a、126a、128a：导引斜面；

130：靶源；

132：第一电极；

134：第二电极；

136：靶材；

138：绝缘材；

140：散热元件；

D1：水平方向；

D2：重力方向；

F：流动方向。

具体实施方式