[发明专利]氧化硅材料、制造方法、负电极、锂离子二次蓄电池和电化学电容器在审
申请号: | 201310664767.X | 申请日: | 2013-12-10 |
公开(公告)号: | CN103872303A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 福冈宏文;齐藤光具;上野进;犬饲铁也 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | H01M4/48 | 分类号: | H01M4/48;H01M4/131;H01G9/042 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 李跃龙 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氧化 材料 制造 方法 电极 锂离子 二次 蓄电池 电化学 电容器 | ||
1.用于非水电解质二次蓄电池负电极的氧化硅材料,其具有以重量计2-18ppm的钴含量。
2.如权利要求1的氧化硅材料,其为颗粒形式,具有0.1-30μm的平均颗粒尺寸和0.5-30m
3.用于非水电解质二次蓄电池中的负电极,其由包含权利要求1的氧化硅材料的负电极材料制备。
4.锂离子二次蓄电池,其包含权利要求3的负电极、正电极和锂离子导电的非水电解质。
5.电化学电容器,其包含权利要求3的负电极、正电极和导电电解质。
6.制备氧化硅材料的方法,该氧化硅材料用于非水电解质二次蓄电池负电极,包括以下步骤:
在降低的压力下或在惰性气体中,于1100-1600℃的温度下加热提供SiO气体的原料以产生SiO气体,所述提供SiO气体的原料具有以重量计500-10000ppm的钴含量,且
将SiO气体冷却至500-1100℃的温度用以淀析。
7.如权利要求6的方法,其中所述提供SiO气体的原料为氧化硅粉末或者二氧化硅粉末与金属硅粉末的混合物。
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