[发明专利]多结多头光伏器件在审
申请号: | 201310664921.3 | 申请日: | 2013-12-03 |
公开(公告)号: | CN103855236A | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
发明(设计)人: | 俞荣浚;穆尼布·沃贝尔 | 申请(专利权)人: | 立那工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/0224;H01L31/0328 |
代理公司: | 北京华睿卓成知识产权代理事务所(普通合伙) 11436 | 代理人: | 程淼;彭武 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多头 器件 | ||
1.一种可操作将光转换成电能的光伏器件,包括:基底、第一结、第二结和第三结;其中,所述第一结和所述第二结按相反极性排列,并且所述第二结和所述第三结按相反极性排列。
2.如权利要求1所述的光伏器件,还包括第一端子,其直接电连接到所述第一结和所述第二结的阳极或所述第一结和所述第二结的阴极。
3.如权利要求1所述的光伏器件,还包括第二端子,其直接电连接到所述第二结和所述第三结的阳极或所述第二结和所述第三结的阴极。
4.如权利要求1所述的光伏器件,还包括第二过孔,其被配置为容纳到所述第二结的直接电连接。
5.如权利要求4所述的光伏器件,其中,所述第二过孔的侧壁被电绝缘材料覆盖。
6.如权利要求4所述的光伏器件,其中,所述第二过孔的侧壁被所述第一结的材料覆盖。
7.如权利要求1所述的光伏器件,其中,所述第二结和所述第三结被配置为使得所述第二结和所述第三结的电流基本相等。
8.如权利要求1所述的光伏器件,还包括与所述基底基本垂直的一个或多个结构,其中,所述第一、第二和第三结被适形地沉积在所述一个或多个结构上。
9.如权利要求8所述的光伏器件,其中,所述一个或多个结构中的至少一些各自具有尖部和非尖部。
10.如权利要求9所述的光伏器件,其中,所述尖部具有所述结构的高度的大约10%到100%的高度。
11.如权利要求9所述的光伏器件,其中,所述尖部的侧壁和所述基底构成从60到85度的角度。
12.如权利要求9所述的光伏器件,其中,所述尖部是圆锥或截头锥体。
13.如权利要求9所述的光伏器件,其中,所述尖部在其顶端不具有平面表面。
14.如权利要求9所述的光伏器件,其中,穿过所述尖部的平面截面的顶端的曲率(K)满足方程≥n/λ,其中,n是所述尖部的折射率,λ是380nm。
15.如权利要求9所述的光伏器件,其中,所述第一、第二和第三结被覆盖层所覆盖。
16.如权利要求15所述的光伏器件,其中,所述覆盖层的折射率小于所述第一、第二和第三结的折射率。
17.如权利要求8所述的光伏器件,还包括适形地沉积在所述结构和所述基底上的一个或多个透明传导氧化物层。
18.如权利要求17所述的光伏器件,其中,在所述结构上的所述一个或多个透明传导氧化物层的部分的厚度小于在所述基底上的所述一个或多个透明传导氧化物层的另一部分的厚度。
19.一种制造具有一个或多个结构的光伏器件的方法,其中,所述一个或多个结构包含尖部;所述方法包括:
通过反应离子蚀刻具有金属层作为护膜的基底来制造所述一个或多个结构;
通过蚀刻所述一个或多个结构来形成所述尖部。
20.如权利要求19所述的方法,还包括:
通过将聚合物的前驱体泼注在所述基底上然后再固化来制造聚合物模具;
移走所述聚合物模具并用氧化物层覆盖所述聚合物模具;
利用所述聚合物模具冲压未固化的陶瓷材料;
通过固化所述未固化的陶瓷材料来形成陶瓷结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的