[发明专利]一种ITO膜导电玻璃生产方法及一种真空旋涂设备有效

专利信息
申请号: 201310664977.9 申请日: 2013-12-11
公开(公告)号: CN103664000A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 郭卫军 申请(专利权)人: 湖北优泰显示技术有限公司
主分类号: C03C17/23 分类号: C03C17/23
代理公司: 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 代理人: 王伟锋;刘铁生
地址: 432500 湖北省孝感*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 ito 导电 玻璃 生产 方法 真空 设备
【说明书】:

技术领域

发明涉及ITO镀膜技术领域,尤其涉及一种ITO膜导电玻璃生产方法及一种真空旋涂设备。

背景技术

氧化铟锡(ITO)是一种N型半导体,常温下具有良好的导电性能,对可见光有很好的透过率,是生产液晶屏及触摸屏的关键材料之一。液晶显示器之所以能显示特定的图形,就是利用导电玻璃上的透明导电膜,经蚀刻制成特定外形的电极,上下导电玻璃制成液晶盒后,在这些电极上加适当电压信号,使具有偶极矩的液晶分子在电场作用下特定的方面排列,仅而显示出与电极波长相对应的图形。随着液晶屏及触摸屏技术的高速发展,如何使得ITO膜的膜厚更均匀,产品穿透率和阻抗特性更理想,成为函待解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于针对现有技术的不足而提供一种ITO膜导电玻璃生产方法及一种真空旋涂设备,使得ITO膜的膜厚更均匀,产品穿透率和阻抗特性更理想。

为实现上述目的,本发明采用以下技术方案来实现。

一种ITO膜导电玻璃生产方法,它包括如下步骤:

第一步,将大片玻璃切割成玻璃基片;

第二步,对玻璃基片进行磨边和倒角,并清除所产生的微粒;

第三步,对玻璃基片的表面进行研磨抛光处理;

第四步,以高精密洗净法完全洗净玻璃基片;

第五步,配置ITO膜凝胶:将一定量的铟溶解在浓酸盐中得到InCl3溶液,取出一定量的InCl3溶液,与乙酰丙酮按1:2—1:3的摩尔比混合搅拌得到透明溶液;再按透明溶液与乙二醇甲醚的质量比为80:5的比例加入乙二醇甲醚,在室温下搅拌,得到In溶胶;按In:Sn质量比为25:2的比例加入SnCl4·5H2O,搅拌20min得到In-Sn溶胶,然后按In-Sn溶胶与聚乙二醇的质量比为80:20的比例加入聚乙二醇,静置40min得到ITO膜胶液;

第六步,将ITO膜胶液涂于玻璃基片的中心处;

第七步,将玻璃基片固定放置于真空旋涂设备的旋转台上进行旋转,旋转台位于真空旋涂设备的真空室内,旋转台转速为200rpm/min,旋转时间为80s,在玻璃基片的表面形成一层均匀的ITO凝胶;

第八步,根据ITO膜的厚度要求,重复第六步和第七步,形成多层ITO凝胶,以满足ITO膜的厚度要求;

第九步,将玻璃基片放置于真空旋涂设备的一级干燥室中,在85°C温度下干燥10~15分钟;

第十步,再将玻璃基片放置于真空旋涂设备的二级干燥室中,在150°C温度下热处理10~15分钟,使得多层ITO凝胶形成ITO膜;

第十一步,检查并记录产品的穿透率和阻抗特性,并判断产品是否为良品,良品即包装起来。

一种真空旋涂设备,它包括真空室,真空室内设置有旋转台,旋转台上设置有玻璃夹具;所述真空室的右侧依次设置有一级干燥室和二级干燥室。

进一步的,它还包括穿透率检验室,透率检验室设置于二级干燥室的右侧。

进一步的,它还包括阻抗特性检验室,阻抗特性检验室设置于透率检验室的右侧。

本发明的有益效果为:本发明所述一种ITO膜导电玻璃生产方法及一种真空旋涂设备,使得ITO膜的膜厚更均匀,产品穿透率和阻抗特性更理想。

附图说明

图1为本发明的原理框图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的说明。

一种ITO膜导电玻璃生产方法,它包括如下步骤:

第一步,将大片玻璃切割成玻璃基片;

第二步,对玻璃基片进行磨边和倒角,并清除所产生的微粒;

第三步,对玻璃基片的表面进行研磨抛光处理;

第四步,以高精密洗净法完全洗净玻璃基片;

第五步,配置ITO膜凝胶:将一定量的铟溶解在浓酸盐中得到InCl3溶液,取出一定量的InCl3溶液,与乙酰丙酮按1:2—1:3的摩尔比混合搅拌得到透明溶液;再按透明溶液与乙二醇甲醚的质量比为80:5的比例加入乙二醇甲醚,在室温下搅拌,得到In溶胶;按In:Sn质量比为25:2的比例加入SnCl4·5H2O,搅拌20min得到In-Sn溶胶,然后按In-Sn溶胶与聚乙二醇的质量比为80:20的比例加入聚乙二醇,静置40min得到ITO膜胶液;

第六步,将ITO膜胶液涂于玻璃基片的中心处;

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