[发明专利]一种智能卡内优化非易失性存储器编程的方法

说明书

技术领域：

本发明涉及到智能卡内对非易失性存储器编程的优化方面。

背景技术：

智能卡在日常使用中，会做很多交易，在一次命令处理的过程中，包含多个数据源更新到存储器中的操作，所以会不停的对存储器进行擦写，以前的做法如下：

在更新数据源的时候，每一个数据源都要启动一次编程操作对存储器进行擦写，这样就会不停的访问存储器，从而减慢了命令处理速度，降低了卡片的性能。

提出本发明就是为了解决对存储器频繁访问的问题，优化了对存储器的编程效率，进而优化了卡片的性能，增加了卡片命令的处理速度。

发明内容：

本发明提供了在数据编程过程中的优化算法，将数据按数据块格式先进行整理，然后将所有同一页的数据一起启动编程写入到存储器中。

本发明的主要点在于：

1、将一个命令流程中待更新的数据按照如下格式整理到RAM缓冲区中，RAM缓冲区数据结构和数据块格式如下：

地址1+长度1+数据1(N字节)+地址2+长度2+数据2(N字节)+....+地址n+长度n+数据n(N字节)+结束标志；

其中，定义一组“地址+长度+数据”为一个数据块

2、将RAM缓冲区中的数据块写入到存储器实际地址

1)获得数据块的信息，包括目的地址、长度和数据；

2)检查目的地址是否为全0xFF，如果是则继续获得下一个数据块信息，转到步骤3)，否则转到步骤4)；

3)检查目的地址和长度是否为结束标记，如果是则证明数据块写入完成，正确返回，否则转到步骤2)；

4)将数据块中的数据写入到存储器缓冲区中，继续检查是否存在同一页的数据块，如果不存在则转到步骤5)，如果存在则同样写入到存储器缓冲区中，继续查找直到不再存在同一页的数据块，转到步骤5)；

5)启动编程，将该页数据写入到存储器实际地址中；

6)读出比较存储器中的数据是否正确，如果正确则完成一次擦写存储器操作，同时将这一页内RAM缓冲区中的数据块的目的地址都置为全0xFF；

7)继续查找在同一页的数据块，转到步骤1)。

3、对数据块进行准备的处理流程，包括如下步骤：

1)计算得到当前页的剩余空间长度len，判断数据长度为DataLen的数据是否跨页；

2)如果未跨页，将目的地址、数据长度和数据组成数据块写入到RAM缓冲区中；

3)如果跨页，先将目的地址、len和len长的数据组成数据块写入到RAM缓冲区中，然后计算得到剩余数据长度DataLen，新的目的地址为下一页的起始地址；

转到步骤1)。

附图说明：

图1是数据块准备的处理流程

图2是数据块写入到存储器中的流程

图3是数据块在RAM区的数据结构

具体实施方式

为使本发明上述的特征和优点能够更加清晰明了，下面结合附图和具体实施方式对本发明进行进一步的阐述。

如图1所示，对数据块进行准备的处理流程，包括如下步骤：

4)计算得到当前页的剩余空间长度len，判断数据长度为DataLen的数据是否跨页；

5)如果未跨页，将目的地址、数据长度和数据组成数据块写入到RAM缓冲区中；

6)如果跨页，先将目的地址、len和len长的数据组成数据块写入到RAM缓冲区中，然后计算得到剩余数据长度DataLen，新的目的地址为下一页的起始地址；

7)转到步骤1)

如图2所示，将RAM缓冲区中的块写入到存储器实际地址

1)获得块的信息，包括目的地址、长度和数据；

2)检查目的地址是否为全0xFF，如果是则继续获得下一个数据块信息，转到步骤3)，否则直接转到步骤4)；

3)检查目的地址和长度的值是否为结束标记，如果是则证明块写入完成，否则转到步骤2)；

4)将数据块中的数据写入到存储器缓冲区中，继续检查是否存在同一页的数据块，如果不存在则转到步骤5)，如果存在则同样写入到存储器缓冲区中，继续查找直到不再存在同一页的数据块，转到步骤5)；

5)启动编程，将该页数据写入到存储器实际地址中；

6)读出比较存储器中的数据是否正确，如果正确则完成一次擦写存储器操作，同时将这一页内RAM缓冲区中的数据块的目的地址都置为全0xFF；

7)继续查找在同一页的数据块，转到步骤1)。

如图3所示，RAM缓冲区的数据结构图，每一个数据块由目的地址、数据长度及数据组成，在数据块最后附加一个结束标志。