[发明专利]鳍式场效应晶体管的形成方法在审
| 申请号： | 201310666946.7 | 申请日： | 2013-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN104701176A | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | 童浩;严琰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 形成 方法 | ||
1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成帽盖层；
蚀刻所述帽盖层和所述半导体衬底，直至在所述半导体衬底中形成沟槽，相邻所述沟槽之间的半导体衬底形成鳍部，剩余的所述帽盖层覆盖所述鳍部上表面；
形成隔离材料层填充满所述沟槽并覆盖剩余的所述帽盖层；
对所述隔离材料层进行平坦化直至暴露所述帽盖层上表面；
对平坦化后的所述隔离材料层进行第一次蚀刻直至剩余的所述隔离材料层上表面齐平，并且剩余的所述隔离材料层上表面与剩余的所述帽盖层侧面垂直连接；
采用SiConi蚀刻法对剩余的所述隔离材料层进行第二次蚀刻直至形成隔离层；
去除剩余的所述帽盖层；
在所述鳍部的上表面及侧面形成栅介质层；
在所述栅介质层表面形成横跨所述鳍部的栅极。
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀对所述隔离材料层进行所述第一次蚀刻。
3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺采用的溶液包括氢氟酸溶液，所述氢氟酸溶液中氢氟酸和水的体积比范围为1:100～1:1000。
4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，采用流体化学气相沉积法或者采用高纵深比制程技术形成所述隔离材料层。
5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述SiConi蚀刻法采用的反应气体包括NF3和NH3。
6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述沟槽的深度范围为
7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述隔离层上表面距所述鳍部上表面的距离范围为
8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，蚀刻所述帽盖层和所述半导体衬底的过程包括：
在所述帽盖层上形成硬掩膜层；
以所述硬掩膜层为掩模，采用干法刻蚀工艺蚀刻所述帽盖层和所述半导体衬底。
9.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于，所述硬掩膜层采用自对准双重图形化方法形成。
10.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于，在所述半导体衬底上形成所述帽盖层之前，先在所述半导体衬底上形成垫氧化层，所述帽盖层形成在所述垫氧化层上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310666946.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
