[发明专利]开关有效

专利信息
申请号: 201310670103.4 申请日: 2013-12-10
公开(公告)号: CN103871794A 公开(公告)日: 2014-06-18
发明(设计)人: 渡边真也;信太秀夫;小仓健太郎;幸本茂树;相良雄大 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01H73/18 分类号: H01H73/18;H01H9/44
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 吕晓阳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 开关
【说明书】:

技术领域

本发明涉及能够用于配线用断路器、漏电断路器等、对在触点之间产生的电弧进行消弧并将电路断开的开关。

背景技术

作为以往的开关,存在有如下的电路断路器,该电路断路器一体形成有由磁性体构成的U字状的磁轭和用于对电弧进行换向的消弧角(arcing horn),通过不与可动触头的可动范围重合地以从两个方向覆盖固定触点和处于闭合状态的可动触头的方式配置磁轭,能够强化作用于电弧或者可动触头的电磁力,将电弧从触点上迅速地引离(例如,参照专利文献1)。

在先技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开平8-227648号公报(第7页,图1)

发明内容

发明要解决的课题

在上述那样的以往的开关中,利用磁通使因流过固定触头的电流而产生的电弧向消弧角换向,并通过使磁轭和消弧角形成为一体而形成磁回路,由于上述磁通因上述磁回路而发生迂回,所以上述磁通不对电弧产生作用,不能够充分地获得强化使电弧换向的电磁力的效果。因此,在难以从触点上引离电弧的数百A以上的过载电流区域以及数kA以上的短路电流区域,电弧长时间粘着在触点上,引起触点劣化。由此,接触电阻增大,有时引起触点间的温度上升。另外,即使使电弧从触点上向消弧角换向,由于在消弧角与磁轭之间形成磁回路、电弧被向磁轭侧吸引,因此也存在电弧被引回触点上,导致触点劣化或截断可靠性降低的可能性。此外,在磁轭上,由于在数kA以上的短路电流区域中因电流而产生的磁通密度升高、引起磁饱和,所以提高由磁轭产生的使电弧向消弧角换向的电磁力的效果降低,存在不能够作用充分的电磁力、不但触点劣化而且截断可靠性也降低的课题。

本发明就是为了解决上述那样的以往技术课题而提出的,其目的在于提供一种开关,该开关即便一体地构成磁轭和消弧角,即使在流过数百A至数kA以上的电流的情况下,也能够向可动触头或者电弧作用充分的电磁力,能够抑制触点的劣化、提高截断的可靠性。

本发明的开关具有:第一触头,该第一触头设置有能够接触或分离地设置的一对触点中的一个触点,在到达上述一个触点的电路中形成有排斥电路以及吸引电路;第二触头,该第二触头设置有上述一对触点中的另一个触点;以及磁轭型消弧角,该磁轭型消弧角通过磁性体一体地形成有以与形成在上述一个触点上的电弧产生空间的至少一部分相向的方式设置的磁轭部、和与上述排斥电路电连接的消弧角部,在连接上述磁轭部和上述消弧角部的磁路中夹设有使磁阻变高的截面积缩小部。

另外,本发明的开关具有:第一触头,该第一触头设置有能够接触或分离地设置的一对触点中的一个触点,在到达上述一个触点的电路中形成有排斥电路以及吸引电路;第二触头,该第二触头设置有上述一对触点中的另一个触点;消弧栅,该消弧栅设置于能够使在断开时在上述一对触点相互之间产生的电弧消弧的位置;磁轭型消弧板,该磁轭型消弧板通过磁性体一体地形成有以与形成在上述一个触点之上的电弧产生空间的至少一部分相向的方式设置的磁轭部、和用于对电弧进行消弧的消弧部,在连接上述磁轭部与上述消弧部的磁路中夹设有用于使磁阻变高的截面积缩小部;以及由绝缘物构成的电弧保护罩,该电弧保护罩在上述磁轭部的相对于电弧的露出面的至少一部分,用于将上述第一触头和上述磁轭部与电弧隔离。

发明的效果

在本发明中,磁轭型消弧角一体地形成有磁轭部和消弧角部,在磁轭部与消弧角部之间设置有使磁阻变高的截面积缩小部,因此即使在例如数百A至数kA以上的宽的电流区域中,也能够提高使电弧向消弧角换向的电磁力,能够抑制触点的劣化并提高截断可靠性。另外,由于部件数量不增加,所以能够在不提高成本的情况下强化性能。

附图说明

图1是侧视图,表示本发明实施方式1的开关的断开状态下的机构部以及继电部和消弧室部分的主要部分结构。

图2是组装立体图,表示本发明实施方式1的开关的断开状态下的消弧室部分的主要部分结构。

图3是说明图,通过与以往的情况进行比较而表示本发明实施方式1的由磁轭型消弧角形成的磁回路。

图4是表示本发明实施方式2的开关中的磁轭型消弧板以及电弧保护罩附近的主要部分结构的图,(a)为侧视截面图,(b)为沿图4(a)的IVb-IVb线的截面图。

图5是表示图4所示的磁轭型消弧板的立体图。

图6是在消弧室部的宽度方向的中央切断的截面图,表示本发明实施方式3的开关中的磁轭型消弧角以及电弧保护罩附近的主要部分结构。

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