[发明专利]一种改善晶硅电池镀膜质量的方法

权利要求书

1.一种改善晶硅电池镀膜质量的方法，其特征在于，包括步骤：

a）将待镀膜硅片置于石墨舟中，并将所述石墨舟置于管式炉中；

b）将所述管式炉的温度升至恒温温度，所述恒温温度高于沉积温度；同时向所述管式炉中通入氮气；

c）将所述管式炉内的气体抽到真空，温度降至预放电温度，所述预放电温度低于所述沉积温度，通入特殊气体，并进行预放电；

d）将所述管式炉内的温度调至沉积温度，对所述硅片进行减反射膜沉积。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤b）的执行时间为4min～5min。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤b）中通入的氮气的流量为3slm～5slm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤b）中，向所述管式炉中通入氮气的时间为1min～3min。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤c）的执行时间为4min～5min。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤c）中，向所述管式炉内通入氨气。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积温度为400℃～450℃。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述恒温温度比所述沉积温度高5℃～20℃。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预放电温度比所述沉积温度低3℃～15℃。