[发明专利]一种波导型碘化铯闪烁屏及其制备方法

权利要求书

1.一种波导型碘化铯闪烁屏，其特征在于，该闪烁屏包括衬底和闪烁体，所述的闪烁体采用晶体填充工艺成型于衬底表面。

2.根据权利要求1所述的波导型碘化铯闪烁屏及其制备方法，其特征在于，所述的衬底材质为n型单晶硅片，闪烁体的主要成分为碘化铯和碘化铊。

3.根据权利要求1所述的波导型碘化铯闪烁屏的制备方法，其特征在于，所述的制备方法包括如下步骤：a）衬底的表面刻蚀，b）配制闪烁体原料，c）制备闪烁体，d）闪烁屏后处理。

4.根据权利要求3所述的波导型碘化铯闪烁屏的制备方法，其特征在于，所述的步骤a）中，衬底的直径约为100mm，厚度约为0.55mm; 刻蚀过程如下：首先，对硅片进行打磨、抛光以及表面氧化处理，在硅片表面形成一层二氧化硅保护膜；然后，将硅片浸入浓度为10%的HF溶液中处理5-8分钟，取出后使用丙酮和无水乙醇冲净，并在烘箱中进行烘干处理；接着，将处理后的硅片安置在电解池中，硅片作为阳极，金属铂丝网作为阴极，刻蚀面与电解液面接触，背面使用卤素灯进行光激发，光照电压控制在4-10V；最后，倒入电解液，工作电压控制在0.4-0.6V，温度控制在20℃左右，腐蚀5-6小时。

5.根据权利要求3所述的波导型碘化铯闪烁屏的制备方法，其特征在于，所述的步骤d）中，闪烁体原料为碘化铯和碘化铊的固体状粉末，碘化铊的含量控制在2000-2500ppm。

6.根据权利要求3所述的波导型碘化铯闪烁屏的制备方法，其特征在于，所述的步骤c）中，首先，将闪烁体原料覆盖在衬底的上表面，原料的覆盖厚度控制在1.2-1.5倍的衬底厚度；然后，对加热室进行抽真空，真空度控制在10                                               -10torr；接着，使用电阻丝辐射加热装置对衬底进行整体加热，加热温度控制在650℃-1200℃，升温时间控制在4-6分钟；最后，保温10-15分钟后，通入氮气冷却至室温。

7.根据权利要求3所述的波导型碘化铯闪烁屏的制备方法，其特征在于，所述的步骤d）中，后处理工艺包括打磨抛光处理和低温退火处理；打磨抛光处理后的闪烁体厚度控制在120-150um；低温退火处理时的加热温度控制在200-220℃，保温时间为3-4小时后在炉内缓冷至室温。