[发明专利]液晶显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示面板，特别涉及边缘场开关（Fringe Field Switching：FFS）方式的液晶显示装置的液晶显示面板。

背景技术

作为液晶显示装置的显示方式，TN（Twisted Nematic：扭曲向列）模式广泛得到利用。然而，近来，在像素电极与对置电极之间施加电压，在面板产生大致水平的电场，以水平方向驱动液晶分子的横向电场方式正不断得到使用。横向电场方式对宽视场角化有利，在任何视场范围中均要求高显示品位的最近，正代替TN模式广泛得到使用。

在该横向电场方式中，已知面内切换（In Plane Switching）模式和FFS模式。特别是FFS模式中，改善了面内切换模式中的光的利用效率差这一弱点，驱动液晶的像素电极及对置电极均由透明导电膜形成，能够在像素电极及对置电极上的大致整个区域中驱动液晶，有助于显示，因此能够实现与TN模式相等以上的高亮度化或者低功耗化，并且还能够实现宽视场角和高清晰化。因此，在具有利用横向电场方式取得的宽视场角特性的状态下能够实现高亮度化或者低功耗化。

而且，电极构造与面内切换模式相比简单，因此成为也有利于高清晰化的构造。因此，在作为今后有前途的制品领域的以智能电话或平板终端等为代表的中小型面板中，特别要求高清晰化和高亮度化或者低功耗化，因此可以说该FFS模式的液晶显示装置正成为该领域的液晶显示装置的主流。

上述的FFS模式的液晶显示装置中，除去形成作为遮光部的布线层的区域、和形成作为开关元件的薄膜晶体管（TFT）的区域，全部能够用作对显示有效的区域，期待能够实现理想的高亮度化或者低功耗化。然而，实际上在像素部内存在液晶进行未预期的举动的区域，由于需要配置遮光层等直至由透明导电膜形成的像素电极及对置电极的上部、或寄生电容的增加等的制约条件，难以将像素电极或者对置电极相对于布线层重叠或者接近配置。因此，实质的有效显示区域变窄（或者，像素部中有效显示区域所占比例，即开口率变低），无法实现理想的高亮度化或者低功耗化。

鉴于以上的问题点，在FFS模式的液晶显示装置中，研究了关于像素的开口率谋求进一步改善的技术。例如，专利文献1中，作为现有技术可举出如下构成：现有的FFS模式的液晶显示装置中，在像素电极具有以存储电容总线（共同布线）为中心上下对称排列的狭缝来防止色移（color shift）现象。在该构成中，为了防止由于在像素电极和对置电极的边缘部分与周围的栅极总线（栅极布线）和数据总线（源极布线）之间的空间形成电场而产生的不要的光泄漏的发生，需要在像素部内过多地形成上部基板上的黑矩阵（black matrix，遮光膜），开口率下降。

因此，通过将栅极总线配置在与像素电极及对置电极的中央部对应的位置，以像素电极及对置电极的栅极总线为中心使上下方向的边缘部分与存储电容总线重叠，防止在像素电极和对置电极的边缘部分的光泄漏，在像素电极及对置电极的上下方向，成为能够省略延伸至布线外侧的黑矩阵的构成。另外，公开了通过具有以栅极总线为中心而轴对称排列的狭缝，从而谋求兼顾色移现象的防止效应和像素开口率的改善的技术。

另外，在专利文献2及专利文献3中，与专利文献1同样，在与像素电极或者对置电极轴对称地排列狭缝而防止色移现象的构成中，通过使像素电极和对置电极的边缘部分重叠至周围的栅极信号线（扫描线）及漏极信号线（信号线）上，能够防止由从这些信号线泄漏的电场造成的光泄漏，成为能够省略在像素电极及对置电极的四方延伸至布线外侧的黑矩阵的构成。由此，公开了谋求色移现象的防止效应和像素开口率进一步改善的技术。

然而，专利文献1公开的液晶显示面板的情况下，在像素电极及对置电极的左右方向（与栅极总线正交的方向），在数据总线（源极布线）的附近，仍然需要利用黑矩阵的遮光，开口率的改善不充分。而且，在像素电极及对置电极的上下方向，还需要2条共同布线的配置，本来对于1行像素排列为1条、或者通过使对置电极一体化从而还能省略的共同布线的条数增加。另外，若为了使其具有遮光功能而以遮光膜构成共同布线，结果遮光部的面积增加。

另外，已知在狭缝的端部附近发生取向异常，显示品位下降，如果使显示品位优先从而对于狭缝的端部也以黑矩阵来遮光，则开口率进一步下降。由于以上的情况，在专利文献1公开的液晶显示面板中，如果作为显示区域的整体来看，可设想对开口率的改善并无贡献，显示品位也不好。