[发明专利]一种有机发光显示装置及其制备方法

权利要求书

1.一种有机发光显示装置，包括

基板；

薄膜晶体管，包括半导体层、栅极层、源电极层和漏电极层，以及隔离半导体层和栅极层、隔离栅极层和源电极层、漏电极层的一层或多层绝缘层；

电容器，包括电容上电极、电容介质层、电容下电极；

有机发光二极管，包括第一电极层、有机发光层和第二电极层；

第一电极层与源电极层中的源极或者漏电极层中的漏极电连接；

其特征在于，

所述第一电极层与所述电容下电极同层以同种材料形成，所述源电极层、所述漏电极层与所述电容上电极同层以同种材料形成；

所述绝缘层中设置有第一通孔，所述电容下电极通过所述第一通孔设置在所述基板上。

2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述基板上还直接形成有缓冲层，所述薄膜晶体管、所述电容器、所述有机发光二极管设置在所述缓冲层上。

3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述电容下电极通过所述第一通孔直接设置在所述缓冲层上。

4.根据权利要求1或2所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述第一电极层形成在所述绝缘层上。

5.根据权利要求4所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述源电极层或所述漏电极层覆盖所述第一电极层的部分区域。

6.根据权利要求1或5所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述基板上还形成有覆盖薄膜晶体管、所述电容器以及所述第一电极层边缘部分区域的像素限定层。

7.一种权利要求1-6任一项所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、在基板上形成薄膜晶体管的半导体层、栅极层，以及隔离半导体层和栅极层、隔离栅极层和源电极层、漏电极层的一层或多层绝缘层；

S2、在离基板最远的绝缘层上形成第一金属层，并图案化形成第一电极层和电容下电极；

S3、在电容下电极上直接形成电容介电层；

S4、在离基板最远的绝缘层上形成第二金属层，并图案化形成源极、漏极以及电容上电极，源极或漏极覆盖第一电极层边缘部分区域；

S5、在第一电极层上依次形成有机发光层和第二电极层。

8.根据权利要求7所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，步骤S1还包括在所述基板上直接形成缓冲层的步骤。

9.根据权利要求8所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，步骤S2中还包括在所述绝缘层中形成第一通孔以暴露所述基板部分区域或所述缓冲层部分区域的步骤；所述第一金属层的部分区域直接形成在所述第一通孔的侧壁以及所述基板或所述缓冲层上。

10.根据权利要求7-9任一项所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，步骤S5中还包括在所述基板上形成覆盖所述第一电极、所述源极、所述漏极、所述电容上极板以及所述绝缘层的像素限定层，并将所述像素限定层图案化形成暴露所述第一电极中部区域的第二通孔的步骤。