[发明专利]抗单粒子翻转和单粒子瞬态可同步复位扫描结构D触发器有效
申请号: | 201310674467.X | 申请日: | 2013-12-11 |
公开(公告)号: | CN103825585A | 公开(公告)日: | 2014-05-28 |
发明(设计)人: | 孙永节;王运峰;刘宗林;梁斌;池雅庆;陈书明;郭阳;胡春媚;陈建军;李振涛 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
主分类号: | H03K3/3562 | 分类号: | H03K3/3562 |
代理公司: | 国防科技大学专利服务中心 43202 | 代理人: | 郭敏 |
地址: | 410073 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 粒子 翻转 瞬态 同步 复位 扫描 结构 触发器 | ||
1.抗单粒子翻转和单粒子瞬态可同步复位扫描结构D触发器,包括时钟电路、扫描控制缓冲电路、主锁存器、从锁存器、反相器电路,其特征在于抗单粒子翻转单粒子瞬态可同步复位扫描结构D触发器还包括缓冲电路、同步复位缓冲电路,且反相器电路只有一个;主锁存器和从锁存器均为冗余加固的锁存器,主锁存器和从锁存器前后串联,并均与时钟电路连接;主锁存器还与缓冲电路、扫描控制缓冲电路、同步复位缓冲电路相连,从锁存器还与反相器电路相连;有五个输入端和一个输出端,五个输入端分别是时钟信号输入端CK、数据信号输入端D、扫描控制信号输入端SE、扫描数据输入端SI和同步复位信号输入端RN,输出端是Q。
2.如权利要求1所述的抗单粒子翻转单粒子瞬态可同步复位扫描结构D触发器,其特征在于所述时钟电路有一个输入端和四个输出端,输入端为CK,输出端为c1、c2、cn1、cn2;时钟电路由十二个PMOS和十四个NMOS组成,电路中所有PMOS管的衬底连接电源VDD,所有NMOS管的衬底接地VSS;第四十九PMOS管的栅极Pg49连接CK,漏极Pd49连接第四十九NMOS管的漏极Nd49;第五十PMOS管的栅极Pg50连接第四十九PMOS管的漏极Pd49,漏极Pd50连接第五十NMOS管的漏极Nd50,源极Ps50连接电源VDD;第五十一PMOS管的栅极Pg51连接第五十PMOS管的漏极Pd50,漏极Pd51连接第五十一NMOS管的漏极Nd51,源极Ps51连接电源VDD;第五十二PMOS管的栅极Pg52连接第五十一PMOS管的漏极Pd51,漏极Pd52连接第五十二NMOS管的漏极Nd52,源极Ps52连接电源VDD;第五十三PMOS管的栅极Pg53连接CK,漏极Pd53连接第五十四PMOS管的源极Ps54,源极Ps53连接VDD;第五十四PMOS管的栅极Pg54连接第五十二PMOS管的漏极Pd52,漏极Pd54连接第五十三NMOS管的漏极Nd53,并作为时钟电路的一个输出端cn1,源极Ps54连接Pd53;第五十五PMOS管的栅极Pg55连接CK,漏极Pd55连接第五十六PMOS管的源极Ps56,源极Ps55连接VDD;第五十六PMOS管的栅极Pg56连接第五十二PMOS管的漏极Pd52,漏极Pd56连接第五十五NMOS管的漏极Nd55并作为时钟电路的一个输出端cn2,源极Ps56连接Pd55;第五十七PMOS管的栅极Pg57连接第五十七NMOS管的栅极Ng57并作为时钟电路的一个输出端c1,漏极Pd57连接第五十四PMOS管的漏极Pd54,并连接输出端cn1,源极Ps57连接VDD;第五十八PMOS管的栅极Pg58连接第五十八NMOS管的栅极Ng58并作为时钟电路的一个输出端c2,漏极Pd58连接第五十八NMOS管的漏极Nd58和输出端cn2,源极Ps58连接VDD;第五十九PMOS管的栅极Pg59连接输出端cn1,漏极Pd59连接输出端c1,源极Ps59连接VDD;第六十PMOS管的栅极Pg60连接输出端cn2,漏极Pd60连接输出端c2,源极Ps60连接VDD;第四十九NMOS管的栅极Ng49连接CK,漏极Nd49连接第四十九PMOS管的漏极Pd49;第五十NMOS管的栅极Ng50连接第四十九NMOS管的漏极Nd49,漏极Nd50连接第五十PMOS管的漏极Pd50,源极Ns50连接VSS;第五十一NMOS管的栅极Ng51连接第五十NMOS管的漏极Nd50,漏极Nd51连接第五十一PMOS管的漏极Pd51,源极Ns51连接VSS;第五十二NMOS管的栅极Ng52连接第五十一NMOS管的漏极Nd51,漏极Nd52连接第五十二PMOS管的漏极Pd52,源极Ns52连接VSS;第五十三NMOS管的栅极Ng53连接第五十二NMOS管的漏极Nd52,源极Ns53连接第五十四NMOS管的漏极Nd54,漏极连接cn1;第五十四NMOS管的栅极Ng54连接CK,漏极Nd54连接第五十三NMOS管的源极Nd53,源极Ns54连接VSS;第五十五NMOS管的栅极Ng55连接第五十二NMOS管的漏极Nd52,源极Ns55连接第五十六NMOS管的漏极Nd56,漏极连接cn2;第五十六NMOS管的栅极Ng56连接CK,漏极Nd56连接第五十五NMOS管的源极Nd55,源极Ns56连接VSS;第五十七NMOS管的栅极Ng57连接输出端c1,漏极Nd57连接输出端cn2,源极Ns57连接第六十一NMOS管的漏极Nd61;第五十八NMOS管的栅极Ng58连接输出端c2,漏极Nd58连接输出端cn2,源极Ns58连接第六十二NMOS管的漏极Nd62;第五十九NMOS管的栅极Ng59连接输出端cn1,漏极Nd59连接输出端c1,源极Ns59连接VSS;第六十NMOS管的栅极Ng60连接输出端cn2,漏极Nd60连接输出端c2,源极Ns60连接VSS;第六十一NMOS管的漏极Nd61连接第五十七NMOS管的源极Ns57,栅极Ng61连接输出端c1,源极Ns61连接VSS;第六十二NMOS管的漏极Nd62连接第五十八NMOS管的源极Ns58,栅极Ng62连接输出端c1,源极Ns62连接VSS。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国人民解放军国防科学技术大学,未经中国人民解放军国防科学技术大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310674467.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。