[发明专利]封装基板通孔的激光加工方法

权利要求书

1.一种封装基板通孔的激光加工方法，其特征在于，包括定位通孔制作、激光加工通孔、镀铜、蚀刻工序，其中：

定位通孔制作工序中，利用机械钻孔的方式在封装基板上制作定位通孔；

激光加工通孔工序中，先在封装基板的一面，利用激光光束，于预定加工的通孔位置形成半通的盲孔结构；然后将封装基板翻到另一面，利用定位通孔定位后，在与该盲孔相对的位置，利用激光加工形成通孔。

2.根据权利要求1所述的封装基板通孔的激光加工方法，其特征在于，所述定位通孔制作工序中，在封装基板非功能区域制作至少一组定位通孔，每组定位通孔由至少四个孔径为0.5-3.5mm的机械通孔组成。

3.根据权利要求2所述的封装基板通孔的激光加工方法，其特征在于，所述激光加工通孔工序中，以定位通孔为定位参照点，利用CCD自动识别定位系统进行定位。

4.根据权利要求3所述的封装基板通孔的激光加工方法，其特征在于，所述激光加工通孔工序中，当预定加工的通孔孔径≥100μm时，使用一组定位通孔进行定位；当预定加工的通孔孔径≥60而小于100μm时，使用至少两组定位通孔进行定位。

5.根据权利要求1所述的封装基板通孔的激光加工方法，其特征在于，所述激光加工通孔工序中，当预定加工的通孔孔径为60-90μm时，控制激光光束的直径比通孔孔径大25-35μm；

当预定加工的通孔孔径为90-120μm时，控制激光光束的直径比通孔孔径大35-45μm；

当预定加工的通孔孔径为120-150μm时，控制激光光束的直径比通孔孔径大45-55μm。

6.根据权利要求1所述的封装基板通孔的激光加工方法，其特征在于，所述激光加工通孔工序中，采用CO₂激光进行加工。

7.根据权利要求1所述的封装基板通孔的激光加工方法，其特征在于，当封装基板表面覆盖的铜箔厚度＞3μm时，在定位孔制作和激光加工通孔工序之间，还包括开窗工序，所述开窗工序中，以图形转移和蚀刻的方式，去除预定加工为通孔位置表面的铜箔。

8.根据权利要求6所述的封装基板通孔的激光加工方法，其特征在于，所述激光加工通孔工序中，当封装基板表面覆盖的铜箔厚度≤3μm时，控制激光能量为4-20毫焦，当封装基板表面覆盖的铜箔厚度＞3μm时，控制激光能量为2-10毫焦。

9.根据权利要求1所述的封装基板通孔的激光加工方法，其特征在于，所述镀铜工序中，包括除胶、化学沉铜和电镀铜步骤。

10.根据权利要求8所述的封装基板通孔的激光加工方法，其特征在于，所述电镀铜时，控制8-20ASF的电流密度，30-90min的电镀时间。