[发明专利]可穿戴显示器在审
申请号: | 201310675095.2 | 申请日: | 2013-12-11 |
公开(公告)号: | CN103872083A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 迈克尔·哈克;马瑞青;庞惠卿 | 申请(专利权)人: | 环球展览公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09F9/30 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王璐 |
地址: | 美国新*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 穿戴 显示器 | ||
所主张的本发明是由达成联合大学公司研究协议的以下各方中的一者或一者以上,以以下各方中的一者或一者以上的名义和/或结合以下各方中的一者或一者以上而作出:密歇根大学董事会、普林斯顿大学、南加州大学以及环宇显示器公司(Universal Display Corporation)。所述协议在作出所主张的本发明的日期当天和之前就生效,且所主张的本发明是因在所述协议的范围内进行的活动而作出。
技术领域
本发明涉及有机发光装置,且更具体地说,涉及适合在可穿戴显示器和能够具有阳光下可读性的其它装置中使用的装置。
背景技术
出于若干原因,利用有机材料的光学电子装置变得越来越受欢迎。用以制作此些装置的材料中的许多材料相对便宜,因此有机光学电子装置具有获得相对于无机装置的成本优势的潜力。另外,有机材料的固有性质(例如其挠性)可使其非常适合特定应用,例如在挠性衬底上的制造。有机光学电子装置的实例包含有机发光装置(OLED)、有机光电晶体管、有机光伏电池和有机光电检测器。对于OLED,有机材料可具有相对于常规材料的性能优点。举例来说,有机发光层发射光的波长通常可容易地用适当的掺杂剂来调整。
OLED利用有机薄膜,其在电压施加于装置上时发射光。OLED正变为用于例如平板显示器、照明和背光等应用中的越来越引人注目的技术。第5,844,363号、第6,303,238号和第5,707,745号美国专利中描述若干OLED材料和配置,所述专利以全文引用的方式并入本文中。
磷光性发光分子的一个应用是全色显示器。用于此类显示器的行业标准需要适于发射特定色彩(称为“饱和”色彩)的像素。明确地说,这些标准需要饱和的红色、绿色和蓝色像素。可使用此项技术中众所周知的CIE坐标来测量色彩。
绿色发光分子的一个实例为三(2-苯基吡啶)铱、表示为Ir(ppy)3,其具有以下结构:
在此图以及本文后面的图中,将从氮到金属(此处,Ir)的配价键描绘为直线。
如本文所使用,术语“有机”包含聚合材料以及小分子有机材料,其可用以制造有机光学电子装置。“小分子”指代不是聚合物的任何有机材料,且“小分子”可实际上相当大。在一些情况下,小分子可包含重复单元。举例来说,使用长链烷基作为取代基不会将分子从“小分子”类别中去除。小分子还可并入到聚合物中,例如作为聚合物主链上的侧基或作为主链的一部分。小分子还可充当树枝状聚合物的核心半族,树枝状聚合物由建立在核心半族上的一系列化学壳层组成。树枝状聚合物的核心半族可为荧光或磷光小分子发射体。树枝状聚合物可为“小分子”,且据信当前在OLED领域中使用的所有树枝状聚合物均为小分子。
如本文所使用,“顶部”意谓离衬底最远,而“底部”意谓离衬底最近。在将第一层描述为“安置”在第二层“上”的情况下,第一层被安置为距衬底较远。第一与第二层之间可存在其它层,除非指定第一层“与”第二层“接触”。举例来说,即使阴极和阳极之间存在各种有机层,仍可将阴极描述为“安置在”阳极“上”。
如本文所使用,“溶液可处理”意谓能够以溶液或悬浮液的形式在液体媒介中溶解、分散或输送和/或从液体媒介沉积。
当据信配位体直接促成发光材料的光敏性质时,配位体可称为“光敏性的”。当据信配位体并不促成发光材料的光敏性质时,配位体可称为“辅助性的”,但辅助性的配位体可更改光敏配位体的性质。
如本文所使用,且如所属领域的技术人员一股将理解,如果第一能级较接近真空能级,那么第一“最高占用分子轨道”(HOMO)或“最低未占用分子轨道”(LUMO)能级“大于”或“高于”第二HOMO或LUMO能级。由于将电离电位(IP)测量为相对于真空能级的负能量,因此较高HOMO能级对应于具有较小绝对值的IP(负得较少的IP)。类似地,较高LUMO能级对应于具有较小绝对值的电子亲和性(EA)(负得较少的EA)。在常规能级图上,真空能级在顶部,材料的LUMO能级高于同一材料的HOMO能级。“较高”HOMO或LUMO能级表现为比“较低”HOMO或LUMO能级靠近此图的顶部。
如本文所使用,且如所属领域的技术人员一股将理解,如果第一功函数具有较高绝对值,那么第一功函数“大于”或“高于”第二功函数。因为通常将功函数测量为相对于真空能级的负数,因此这意谓“较高”功函数负得较多。在常规能级图上,真空能级在顶部,将“较高”功函数说明为在向下方向上距真空能级较远。因此,HOMO和LUMO能级的定义遵循与功函数不同的惯例。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的