[发明专利]一种存储器电路的激光模拟单粒子效应背辐照试验方法有效
| 申请号： | 201310675790.9 | 申请日： | 2013-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN103680640A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 陈茂鑫;范隆;董攀;陈莉明;郑宏超;岳素格;杜守刚;马建华;王煌伟;文圣泉;毕潇;于春青 | 申请（专利权）人： | 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 安丽 |
| 地址： | 100076 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 电路 激光 模拟 粒子 效应 辐照 试验 方法 | ||
1.一种存储器电路的激光模拟单粒子效应背辐照试验方法，其特征在于步骤如下：
1）制备存储器电路测试样品；
11）将待测试电路板上粘结存储器芯片的位置镂空形成镂空孔，所述镂空孔的形状大小为以存储器芯片形状大小为基准，四周预留2mm的粘片区域，其余中心部分镂空；
12）将存储器芯片粘结在待测试电路板上，用铝丝将存储器芯片键合到待测试电路板焊盘上；
13）将FPGA开发板焊接在待测试电路板上；
2）将步骤1）制作的存储器电路测试样品固定放置在三维平移台上，驱动三维平移台，使由外部激光器出射的脉冲激光经透镜后聚焦到存储器芯片背面，并固定存储器电路测试样品在竖直方向上的位置；
3）驱动三维平移台移动，使外部激光器出射的脉冲激光对存储器电路测试样品在二维平面进行扫描；
4）FPGA开发板监测存储器芯片的输入和输出，找出并记录因脉冲激光对存储器芯片造成的数据翻转而产生的数据错误以及错误数据地址。
2.根据权利要求1所述的一种存储器电路的激光模拟单粒子效应背辐照试验方法，其特征在于：步骤11）中的待测试电路板为PCB板。
3.根据权利要求1所述的一种存储器电路的激光模拟单粒子效应背辐照试验方法，其特征在于：步骤2）中激光器出射的脉冲激光经透镜后聚焦到存储器芯片上的方法为：通过三维平移台使存储器电路测试样品在竖直方向上移动，得到各位置的脉冲激光阈值能量；所述的脉冲激光阈值能量为使存储器芯片发生数据翻转所需的最小的脉冲激光能量；选取脉冲激光阈值能量最小值所对应的位置，作为存储器电路测试样品在竖直方向上的位置。
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