[发明专利]全光单片集成光电器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201310676003.2 | 申请日： | 2013-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN104716153A | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 任昕;陆书龙;边历峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单片 集成 光电 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种全光单片集成光电器件，其特征在于，包括p型GaAs衬底，以及依次形成于p型GaAs衬底上的GaInP/AlGaInP有源区量子阱、n型GaAs接触层、n型GaN接触层、GaN／InGaN有源区量子阱和p型GaN接触层，所述全光单片集成光电器件为单片集成的单个器件。
2.根据权利要求1所述的全光单片集成光电器件，其特征在于：所述n型GaN接触层键合形成于所述n型GaAs接触层表面。
3.根据权利要求1所述的全光单片集成光电器件，其特征在于：所述全光单片集成光电器件为LED或光伏电池。
4.一种全光单片集成光电器件的制作方法，其特征在于，包括：
s1、在p型GaAs衬底上依次生长GaInP/AlGaInP有源区量子阱和n型GaAs接触层，获得GaAs晶片；
s2、在蓝宝石衬底上依次生长p型GaN接触层、GaN／InGaN有源区量子阱和n型GaN接触层，获得GaN晶片；
s3、将n型GaAs接触层和n型GaN接触层进行键合；
s4、剥离蓝宝石衬底。
5.根据权利要求4所述的全光单片集成光电器件的制作方法，其特征在于：所述步骤s1中，所述GaInP/AlGaInP有源区量子阱通过分子束外延方法生长于p型GaAs衬底上，生长温度控制为610~730℃，生长压力控制为4~8MPa。
6.根据权利要求4所述的全光单片集成光电器件的制作方法，其特征在于：所述步骤s3中，键合前还包括：将GaAs晶片和GaN晶片依次在三氯乙烯／丙酮／乙醇中超声清洗，并在HC1溶液中浸泡去除表面氧化物，最后用去离子水清洗。
7.根据权利要求6所述的全光单片集成光电器件的制作方法，其特征在于：所述HC1溶液中，Hcl与H2O的体积比为1:5。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;，未经中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310676003.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
