[发明专利]LED结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201310676275.2 | 申请日： | 2013-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN104716239A | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 张旺 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种LED结构，其特征在于，包括：
衬底；
第一掺杂类型氮化物半导体层，所述第一掺杂类型氮化物半导体层位于所述衬底上；
第一电极，所述第一电极位于所述第一掺杂类型氮化物半导体层的第一区域上；
多量子阱，所述多量子阱位于所述第一掺杂类型氮化物半导体层的第二区域上，所述多量子阱包括周期交替排列的多个阱层和多个垒层，其中，所述阱层中具有p型掺杂区，其中，当所述第一掺杂类型为n型时，所述p型掺杂区位于所述阱层的前端，或者，当所述第一掺杂类型为p型时，所述p型掺杂区位于所述阱层的后端；
第二掺杂类型氮化物半导体层，所述第二掺杂类型氮化物半导体层位于所述多量子阱上；
第二电极，所述第二电极位于所述第二掺杂类型氮化物半导体层上。
2.如权利要求1所述的LED结构，其特征在于，所述p型掺杂区的厚度为所述阱层厚度的三分之二。
3.如权利要求1所述的LED结构，其特征在于，所述p型掺杂区的掺杂浓度为1015-1020cm-3。
4.如权利要求1所述的LED结构，其特征在于，所述多量子阱是通过金属有机物化学气相沉积工艺得到的。
5.如权利要求1所述的LED结构，其特征在于，所述阱层材料为InGaN或AlGaN，所述垒层材料为GaN。
6.一种LED结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供衬底；
在所述衬底上形成第一掺杂类型氮化物半导体层；
在所述第一掺杂类型氮化物半导体层的第一区域上形成第一电极；
在所述第一掺杂类型氮化物半导体层的第二区域上形成多量子阱，所述多量子阱包括周期交替排列的多个阱层和多个垒层，其中，所述阱层中具有p型掺杂区，其中，当所述第一掺杂类型为n型时，所述p型掺杂区位于所述阱层的前端，或者，当所述第一掺杂类型为p型时，所述p型掺杂区位于所述阱层的后端；
在所述多量子阱上形成第二掺杂类型氮化物半导体层；
在所述第二掺杂类型氮化物半导体层上形成第二电极。
7.如权利要求6所述的LED结构的形成方法，其特征在于，所述p型掺杂区的厚度为所述阱层厚度的三分之二。
8.如权利要求6所述的LED结构的形成方法，其特征在于，所述p型掺杂区的掺杂浓度为1015-1020cm-3。
9.如权利要求6所述的LED结构的形成方法，其特征在于，通过金属有机物化学气相沉积工艺形成所述多量子阱。
10.如权利要求6所述的LED结构的形成方法，其特征在于，所述阱层材料为InGaN或AlGaN，所述垒层材料为GaN。
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