[发明专利]封装堆栈结构及其制法

说明书

技术领域

本发明涉及一种封装堆栈结构，尤指一种得提升产品可靠度的封装堆栈结构及其制法。

背景技术

随着半导体封装技术的演进，半导体装置(Semiconductor device)已开发出不同的封装型态，而为提升电性功能及节省封装空间，遂堆加多个封装结构以形成封装堆栈结构(Package on Package，POP)，此种封装方式能发挥系统封装(SiP)异质整合特性，可将不同功用的电子组件，例如：内存、中央处理器、绘图处理器、影像应用处理器等，藉由堆栈设计达到系统的整合，适合应用于轻薄型各种电子产品。

图1为现有封装堆栈结构1的剖面示意图。如图1所示，该封装堆栈结构1包含第一封装基板11及第二封装基板12。该第一封装基板11具有相对的第一及第二表面11a,11b，且于该第一表面11a上设有电性连接该第一封装基板11的第一半导体组件10，而该第二表面11b上具有植球垫112以供结合焊球17。该第二封装基板12具有相对的第三及第四表面12a,12b，且该第三表面12a设有多个电性接触垫120，又该第三及第四表面12a,12b上具有防焊层123，并形成有多个开孔以外露该些电性接触垫120。

于制作时，先于该第一封装基板11的第一表面11a上形成焊锡柱13，再使该第二封装基板12的第四表面12b藉由该焊锡柱13叠设且电性连接于该第一封装基板11上。接着，形成封装胶体14于该第一封装基板11的第一表面11a与该第二封装基板12的第四表面12b之间，以包覆该第一半导体组件10。之后，设置多个第二半导体组件15于该第三表面12a上以电性连接该些电性接触垫120。其中，该第一及第二半导体组件10,15以覆晶方式电性连接该些封装基板，且可藉由底胶16充填于该第一及第二半导体组件10,15与第一封装基板11及第二封装基板12之间。

然而，现有封装堆栈结构1的制法中，于形成该封装胶体14时，该封装胶体14＇会溢流于该第二封装基板12的电性接触垫120上而残留于其上，所以需以激光或蚀刻方式去除该封装胶体14＇，却因而容易一并移除该电性接触垫120及其周围的防焊层123，造成该第二封装基板12的信赖性不佳。

此外，以激光或蚀刻方式去除该封装胶体14＇时，并无法将该封装胶体14＇完全去除，造成后续制程中，该第二半导体组件15无法有效接置于该电性接触垫120上，且与该电性接触垫120的电性连接易发生不良。

因此，如何克服现有技术中的种种问题，实已成目前亟欲解决的课题。

发明内容

鉴于上述现有技术的缺失，本发明的目的为提供一种，可避免于去除残留的封装胶体时损坏电性接触垫的问题。

本发明的封装堆栈结构，包括：第一封装基板；第一电子组件，其设于该第一封装基板上，且电性连接该第一封装基板；多个支撑件，其设于该第一封装基板上；第二封装基板，其结合该些支撑件，使该第二封装基板叠设于该第一封装基板上，又该第二封装基板具有多个电性接触垫与至少一凹槽，且该凹槽较该电性接触垫邻近该第二封装基板的边缘；以及封装胶体，其设于该第一封装基板与第二封装基板之间，并包覆该第一电子组件与该些支撑件。

本发明还提供一种封装堆栈结构的制法，包括：提供一设有第一电子组件的第一封装基板，且该第一电子组件电性连接该第一封装基板；一具有多个电性接触垫与至少一凹槽的第二封装基板藉由多个支撑件结合至该第一封装基板上，使该第二封装基板叠设于该第一封装基板上，又该凹槽较该电性接触垫邻近该第二封装基板的边缘；以及形成封装胶体于该第一封装基板与该第二封装基板之间，以包覆该第一电子组件与该些支撑件。

前述的封装堆栈结构及其制法中，该第二封装基板叠设于该第一封装基板上的制程，包括：形成多个第一金属柱于该第一封装基板上，且形成多个第二金属柱于该第二封装基板上；以及将第一金属柱结合第二金属柱，使该第二封装基板叠设于该第一封装基板上，且令该第一金属柱与第二金属柱作为该支撑件。因此，该支撑件具有相结合的第一金属柱与第二金属柱，该第一金属柱结合该第一封装基板，且该第二金属柱结合该第二封装基板，又该支撑件还具有结合该第一金属柱与该第二金属柱的焊锡材料。

前述的封装堆栈结构及其制法中，该支撑件电性连接该第一及第二封装基板。

前述的封装堆栈结构及其制法中，该封装胶体还形成于该第一封装基板与该第一电子组件之间。

另外，前述的封装堆栈结构及其制法中，还包括设置第二电子组件于该第二封装基板上，且该第二电子组件电性连接该电性接触垫。