[发明专利]半导体气体传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体气体传感器，其特征在于，包括：

基底，所述基底具有表面；

设置在所述表面的加热电极；

位于所述加热电极形成的热场内的信号感测电极，所述信号感测电极包括导电电极以及电性连接所述导电电极的气敏材料；其中，

所述加热电极和所述信号感测电极之间设置有绝缘介质层。

2.根据权利要求1所述的半导体气体传感器，其特征在于，所述绝缘介质层的材质选自氧化铝、二氧化硅、二氧化铪中的一种或几种。

3.根据权利要求1所述的半导体气体传感器，其特征在于，所述基底、加热电极、以及信号感测电极之间分别设置有粘结层。

4.根据权利要求1所述的半导体气体传感器，其特征在于，所述粘结层为Ti金属薄膜、或Cr金属薄膜、或Ti/Cr合金薄膜。

5.根据权利要求1所述的半导体气体传感器，其特征在于，所述基底选自表面氧化的硅片、玻璃片、石英片、氧化铝陶瓷片、氮化铝陶瓷片、氧化锆陶瓷片、聚酰亚胺薄膜中的一种，所述基底的厚度为100um~1000um。

6.根据权利要求1所述的半导体气体传感器，其特征在于，所述加热电极的材质选自金、银、铂、铜、钨、铂金合金、银钯合金、镍铬合金、钼锰合金、氮化钛、氧化钌中的一种，所述导电电极的材质选自金、银、铂、铜、钨中的一种。

7.根据权利要求1所述的半导体气体传感器，其特征在于，所述加热电极呈方波、或锯齿波、或三角波、或正弦波、或蛇形。

8.根据权利要求1所述的半导体气体传感器，其特征在于，所述绝缘介质层通过喷墨印刷的方式制得。

9.一种半导体气体传感器的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

S1、在基底上制作加热电极；

S2、在基底上喷墨印刷一层绝缘介质层的前驱体墨水；

S3、将经过步骤S2处理的基底进行退火，得到形成在基底上的绝缘介质层；

S4、在所述绝缘介质层上制作导电电极，并在所述导电电极上沉积气敏材料，得到半导体气体传感器。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，步骤S3中的退火温度为500℃~1000℃，退火处理的时间为10min~24h，形成的绝缘介质层的厚度为200nm~2um。