[发明专利]用于计算机硬盘基片无磨粒抛光液组合物有效

专利信息
申请号: 201310678098.1 申请日: 2013-12-13
公开(公告)号: CN103666282A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 雷红;赵蓉;张卫涛;蒋婷;任小艳 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: C09G1/04 分类号: C09G1/04
代理公司: 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人: 陆聪明
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 用于 计算机 硬盘 基片无磨粒 抛光 组合
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种硬盘基片的抛光液。特别是一种用于计算机硬盘基片无磨粒抛光液组合物。

背景技术

近年来,随着存储器硬盘容量及存储密度的快速上升,要求磁头去读更小、更弱的信号,因而磁头与磁盘磁介质之间的距离需要进一步减小以提高输出信号的强度。目前,产品化的计算机磁头的飞行高度已降低到3纳米左右。随着磁头与磁盘间运行如此的接近,对磁盘表面质量的要求也越来越高。当磁盘表面具有波度时,磁头就会随着高速旋转的存储器硬盘的波动上下运动。然而,如果波度超过一定的高度时,磁头就不再能随着波度运动,它就会与磁盘基片表面碰撞,发生所谓的“磁头压碎”,磁头压碎会损坏磁头货存储器硬盘表面上的磁介质,从而导致磁盘设备发生故障或读写信息的错误。另一方面,当存储器硬盘表面上存在数微米的微凸起时也会发生磁头压碎。此外,当硬盘表面存在凹坑时,就不能完整地写入信息,导致信息读出的失败,就会发生错误。因此,在形成磁介质之前,对磁盘基片进行超精抛光,使基片的表面粗糙度和波纹度降至最小是很重要的,同时还必须完全除去微凸起、细小凹坑、划痕、抛光条痕、表面尘埃等表面缺陷。

目前,普遍采用含有纳米磨粒的抛光液组合物对计算机硬盘基片表面进行抛光,但是抛光液中纳米磨粒的硬度比较大,容易产生凹陷,微观划痕等表面损伤。 

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术中存在的问题,提供一种用于计算机硬盘基片无磨粒抛光液组合物,以减少硬盘基片表面的微观划痕和凹陷等表面损伤,提高盘片表面的平整度。

为达到上述目的,本发明采用如下技术方案:

一种用于计算机硬盘基片抛光的无磨粒抛光液组合物,其特征在于该组合物的组成及其重量百分比含量如下:

金属离子盐                                                        0.2~1.2%

氧化剂双氧水                              1.0~6.0%

分散剂六偏磷酸钠                          1.0~4.0%

表面活性剂十六烷基聚氧乙烯醚羧酸盐        1.0~4.0%

去离子水                                    余量

所述的金属离子盐为Zn 离子或Mg离子的可溶性盐。

上述的可溶性盐为硫酸锌、硫酸镁、硝酸锌、硝酸镁、氯化镁或氯化锌。

一种制备上述的用于计算机硬盘基片抛光的无磨粒抛光液组合物,其特征在于该方法的具体步骤为:按上述配方称取各原料,在机械搅拌下,依次将金属离子盐,分散剂和表面活性剂加入到去离子水中,待搅拌溶解后,在不断搅拌下加入氧化剂,得到透明液,即为计算机硬盘基片抛光的无磨粒抛光液组合物

本发明的无磨粒抛光液组合物特别适用于Ni-P镀敷的计算机硬盘基片抛光,使用该抛光液抛后可提高基片的去除速率,有效降低硬盘基片表面纳米级微粗糙峰个数,减少表面微观划痕、凹陷,因而提高了硬盘基片表面的平整度。

具体实施方式

现将本发明的具体实施例叙述于后。

实施例1

本实施例中,用于计算机硬盘基片的无磨粒抛光液组合物的组成和重量百分比如下:

七水合硫酸锌                                     0.4%

氧化剂双氧水                              5.0%

分散剂六偏磷酸钠                          3.0%

表面活性剂十六烷基聚氧乙烯醚羧酸盐        3.0%

 去离子水                                  88.6%

无磨粒抛光液的制备:按上述配方称取各原料,在机械搅拌下,依次将金属离子盐,分散剂和表面活性剂加入到去离子水中,待搅拌溶解后,搅拌下再加入氧化剂,搅拌均匀即可,得到透明液。 

实施例2

同实施例1的组成和步骤,只是采用的氯化锌的重量百分比为0.8%,去离子水的重量百分比为88.2%。

实施例3

本实施例中,用于计算机硬盘基片的无磨粒抛光液组合物的组成和重量百分比如下:

无水硫酸镁                                       0.4%

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