[发明专利]用于数字控制的振荡器的频率调谐和步控制的方法和设备有效
申请号: | 201310678169.8 | 申请日: | 2013-12-13 |
公开(公告)号: | CN103944515B | 公开(公告)日: | 2017-11-17 |
发明(设计)人: | R.阿尔梅德;D.阮 | 申请(专利权)人: | 英特尔IP公司 |
主分类号: | H03B5/18 | 分类号: | H03B5/18;H03L7/099 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 徐予红,汤春龙 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 数字控制 振荡器 频率 调谐 控制 | ||
1.一种可变叶电容器,包括:
第一交流耦合电容器,其具有耦合到第一差分节点的第一端子和耦合到第一共模节点的第二端子;
第二交流耦合电容器,其具有耦合到第二差分节点的第一端子和耦合到第二共模节点的第二端子;以及
变抗器,其具有偏置端子、耦合到所述第一共模节点的第一共模端子和耦合到所述第二共模节点的第二共模端子,其中所述变抗器的电容基于从所述变抗器的所述第一共模端子到所述变抗器的所述偏置端子的电压并且基于从所述变抗器的所述第二共模端子到所述变抗器的所述偏置端子的电压。
2.如权利要求1所述的可变叶电容器,其中所述变抗器的所述偏置端子耦合到数模转换器的输出端。
3.如权利要求1所述的可变叶电容器,其中所述变抗器的所述偏置端子耦合到可变电压偏置。
4.如权利要求1所述的可变叶电容器,其中所述变抗器是基于金属氧化物半导体的变抗器。
5.如权利要求1所述的可变叶电容器,其中所述可变叶电容器的电容基于所述变抗器的电容、所述第一交流耦合电容器的电容和所述第二交流耦合电容器的电容。
6.如权利要求5所述的可变叶电容器,其中:
所述第一交流耦合电容器的电容是可变的;以及
所述第二交流耦合电容器的电容是可变的。
7.一种数字控制的振荡器,包括:
增益级;
电感器;
可变电容器;以及
可变叶电容器,所述可变叶电容器包括:
第一交流耦合电容器,其具有耦合到第一差分节点的第一端子和耦合到第一共模节点的第二端子;
第二交流耦合电容器,其具有耦合到第二差分节点的第一端子和耦合到第二共模节点的第二端子;以及
变抗器,其具有偏置端子、耦合到所述第一共模节点的第一共模端子和耦合到所述第二共模节点的第二共模端子,其中所述变抗器的电容基于从所述变抗器的所述第一共模端子到所述变抗器的所述偏置端子的电压并且基于从所述变抗器的所述第二共模端子到所述变抗器的所述偏置端子的电压。
8.如权利要求7所述的数字控制的振荡器,其中所述可变叶电容器的电容基于所述变抗器的电容、所述第一交流耦合电容器的电容和所述第二交流耦合电容器的电容。
9.如权利要求7所述的数字控制的振荡器,其中:
所述变抗器的所述偏置端子耦合到可变电压偏置;以及
所述第一共模节点和所述第二共模节点配置成具有基于共模偏置的共模。
10.如权利要求9所述的数字控制的振荡器,其中:
所述数字控制的振荡器配置成在所述可变电容器设成第一电容、所述共模偏置设成第一共模并且所述可变电压偏置设成第一偏置时在第一频率振荡;
所述数字控制的振荡器配置成在所述可变电容器设成第一电容、所述共模偏置设成第一共模并且所述可变电压偏置设成第二偏置时在第二频率振荡;
所述数字控制的振荡器配置成在所述可变电容器设成第二电容、所述共模偏置设成第二共模并且所述可变电压偏置设成第一偏置时在第三频率振荡;
所述数字控制的振荡器配置成在所述可变电容器设成第二电容、所述共模偏置设成第二共模并且所述可变电压偏置设成第二偏置时在第四频率振荡;以及
在所述第三频率与所述第四频率之间的差相当于在所述第一频率与所述第二频率之间的差。
11.如权利要求7所述的数字控制的振荡器,其中:
所述变抗器的所述偏置端子耦合到数模转换器的输出端;以及
所述第一共模节点和所述第二共模节点配置成具有基于共模偏置的共模。
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