[发明专利]用于集成电路的状态保持电源门控单元

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

电源门控电路(202)，在低功率时段期间关闭；

保持电路(204)，在非低功率时段的至少一部分耦接至所述电源门控电路(202)，其中所述保持电路(204)在所述低功率时段期间存储状态信息，所述状态信息反映所述低功率时段开始之前所述电源门控电路(202)的状态；

门控电源(206)，耦接至所述电源门控电路(202)和电源开关(210)的第一端，以在非低功率时段期间提供门控电源电压至所述电源门控电路(202)；

局部电源(214)，耦接至所述保持电路(204)和所述电源开关(210)的第二端，其中在所述非低功率时段期间，所述局部电源(214)通过所述开关(210)耦接至所述门控电源(206)；以及

非门控电源(208)，通过隔离元件(212)耦接至所述局部电源(214)；

其中所述隔离元件(212)在所述非低功率时段期间将所述非门控电源(208)与所述局部电源(214)隔离，并且在所述低功率时段期间将所述非门控电源(208)与所述局部电源(214)耦接。

2.如权利要求1所述的集成电路，其中所述隔离元件(212)包括下列之一：二极管，和源极端耦接至所述非门控电源(408)并且漏极端和栅极端耦接至所述局部电源(414)的PMOS晶体管。

3.如权利要求1所述的集成电路，其中所述隔离元件(212)被配置用于降低所述保持电路(204)在所述低功率时段期间的泄漏电流，并隔离噪声信号，以避免其从所述非门控电源(208)与所述保持电路(204)耦合。

4.如权利要求1所述的集成电路，其中所述非门控电源(208)包括耦接在所述非门控电源网(304)和所述隔离元件(212)之间的信号线(310)。

5.如权利要求4所述的集成电路，其中所述信号线(310)将所述隔离元件(212)电耦接至所述非门控电源网(304)。

6.如权利要求4所述的集成电路，其中所述信号线(310)被配置来限制与所述非门控电源(208)相关联的杂散电容。

7.如权利要求1所述的集成电路，其中所述保持电路(204)进一步包括一个或多个晶体管(416)，其被配置来降低所述低功率时段期间的泄漏电流。

8.一种从低功率时段恢复的方法，所述方法包括：

在所述低功率时段之前的非低功率时段期间，提供门控电源电压(206)至电源门控电路(202)以及至开关(210)的第一端；

提供局部电源电压(214)至与所述电源门控电路耦接的保持电路(204)，所述局部电源电压(214)与所述开关(210)的第二端耦接，其中所述开关(210)在所述非低功率时段期间闭合并且在所述低功率时段期间打开，并且所述局部电源电压(214)在所述低功率时段期间通过隔离元件(212)耦接至非门控电源(208)；

在所述低功率时段期间，在所述保持电路(204)处存储反映所述低功率时段开始之前所述电源门控电路(202)的状态的状态信息；以及

通过闭合所述开关(210)，并提供所述门控电源电压至所述电源门控电路(202)，从所述低功率时段恢复；

其中从所述低功率时段恢复进一步包括，在所述隔离元件(212)处将所述非门控电源(208)与所述局部电源(214)隔离。

9.如权利要求8所述的方法，进一步包括，

在所述非低功率时段期间将信号(220)断言，以指示：所述电源门控电路(202)和所述保持电路(204)已进入功能操作模式。

10.如权利要求8所述的方法，其中所述隔离元件包括二极管和PMOS晶体管(412)中的一个，所述PMOS晶体管的源极端耦接至所述非门控电源(408)并且其漏极端和栅极端耦接至所述局部电源(414)。

11.如权利要求8所述的方法，其中所述保持电路(204)降低在所述低功率时段期间与所述保持电路(204)相关联的泄漏电流。

12.如权利要求8所述的方法，进一步包括：利用信号线(310)将所述隔离元件(212)耦接至非门控电源网(304)。